LMBZ20VALT1G是一款由ON Semiconductor生产的表面贴装型齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和参考电压的应用。该器件具有精确的电压容限和低动态阻抗,适用于需要稳定电压输出的电路。其封装形式为SOD-123,适用于自动化装配和高密度PCB布局。
类型:齐纳二极管
最大齐纳电压(Vz):20 V
最大齐纳电流(Iz):200 mA
最大功耗(Pd):300 mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOD-123
LMBZ20VALT1G齐纳二极管具有多项优良特性,使其在电压调节和参考电压电路中表现出色。
首先,该器件的齐纳电压在20V时具有较高的精度,确保在不同工作条件下电压稳定,适用于对电压稳定性要求较高的应用。其动态阻抗较低,有助于减少电压波动并提高系统稳定性。
其次,该齐纳二极管采用SOD-123小型表面贴装封装,节省PCB空间,适用于高密度电路设计。此外,其额定功耗为300mW,能够在较高电流条件下稳定工作,适用于多种电压调节电路。
再者,LMBZ20VALT1G具备良好的温度稳定性,工作温度范围宽达-55°C至+150°C,适用于工业级和汽车级电子系统。该器件还具有快速响应特性,能够在电压突变时迅速稳定输出电压,提高系统的可靠性和安全性。
最后,LMBZ20VALT1G符合RoHS环保标准,无铅且无卤素,满足现代电子产品对环保材料的要求。
LMBZ20VALT1G广泛应用于各类电子设备中,尤其是在需要稳定电压输出的电路中。常见应用包括电源稳压电路、电压参考源、过压保护电路、电池管理系统以及工业自动化设备中的信号调节电路。此外,该器件也常用于通信设备、消费类电子产品、汽车电子系统和传感器电路中,提供精确的电压基准和稳定的工作电压。由于其优良的温度稳定性和响应速度,LMBZ20VALT1G也适用于需要高可靠性的航空航天和汽车电子应用。
LMBZ20VAT1G, BZX84C20LT1G, MM3Z20V