时间：2025/6/26 8:39:00
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QPQ1285TR7是一款基于MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），广泛应用于开关和功率控制电路中。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于各种工业和消费类电子设备中的高效功率转换和管理。
QPQ1285TR7采用了TO-252封装形式，能够提供卓越的散热性能，同时其设计紧凑，非常适合空间受限的应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：59A
导通电阻Rds(on)：3.5mΩ
总功耗Ptot：75W
工作温度范围Tj：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-252
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）使得该器件在大电流应用中表现出优异的效率。
2. 高电流承载能力（高达59A）使其适用于多种高功率场合。
3. 较宽的工作温度范围（-55℃至+175℃）确保了其在极端环境下的可靠性。
4. TO-252封装提供了良好的热管理和电气性能，同时节省PCB空间。
5. 低输入电容和快速开关速度有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品对无害材料的要求。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
4. 负载切换和保护电路。
5. 各种电池管理系统（BMS）中的功率管理模块。
6. 工业自动化和家用电器中的功率控制单元。
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP5800
