类型：NPN型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　最大工作频率（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据档位不同）
　　封装类型：SOT-23

LMBTH10LT1G (3EM) 提供了非常高的电流增益范围，hFE从110到800不等，具体取决于晶体管的等级。这种宽范围的增益使其能够适应多种电路设计需求，包括小信号放大和开关应用。晶体管的工作频率高达250MHz，这使其非常适合用于高频放大器电路。此外，其低饱和电压特性减少了功率损耗，提高了电路的效率。
　　另一个重要特性是它的热稳定性。LMBTH10LT1G (3EM) 在工作时能够承受较高的温度，并保持稳定的性能，这得益于其优化的内部结构设计和SOT-23封装所提供的良好散热性能。该晶体管还具有较高的可靠性和较长的使用寿命，使其成为许多工业和消费类电子应用中的理想选择。
　　由于其小尺寸封装，该晶体管非常适合用于高密度电路板设计，同时保持了易于焊接和装配的优点。LMBTH10LT1G (3EM) 还具有良好的电气特性匹配，适用于需要多个晶体管并联工作的场合。

LMBTH10LT1G (3EM) 主要用于通用开关和放大应用，包括数字电路中的晶体管开关、音频放大器的前级放大、射频（RF）信号放大以及传感器信号调节电路。在消费类电子产品中，该晶体管常用于电源管理、LED驱动、电池供电设备中的信号控制电路。
　　此外，它也广泛应用于工业控制设备，如继电器驱动器、小型电机控制电路、自动测试设备（ATE）中的信号处理模块。在通信设备中，LMBTH10LT1G (3EM) 可用于无线发射模块中的射频放大电路，提供稳定的信号放大功能。
　　由于其高频性能，该晶体管也可用于无线充电电路、DC-DC转换器以及模拟信号处理电路。

BC847系列, 2N3904, MMBT3904