晶体管类型：NPN BJT
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：40 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110（最小值）至800（最大值），根据不同的测试条件
　　频率响应（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

LMBT817-40LT1G 具有一系列优异的电气特性和可靠性，使其成为一款适用于多种应用场景的通用晶体管。
　　首先，该晶体管的最大集电极电流为100 mA，适合用于低至中等功率的开关和放大电路。其高电流增益特性（hFE范围为110至800）使其在放大应用中表现优异，能够有效增强信号强度，适用于音频放大、传感器信号调理等应用。
　　其次，LMBT817-40LT1G的集电极-发射极电压（Vce）最大为40V，集电极-基极电压（Vcb）最大为50V，能够满足中高压电路的需求，适用于电源管理、马达控制和继电器驱动等场景。此外，该器件的工作频率响应（fT）为100 MHz，使其在高频信号处理和射频电路中也能表现出良好的性能。
　　再者，该晶体管的SOT-23封装形式具有较小的体积和良好的散热性能，适合在高密度PCB布局中使用。同时，其工作温度范围宽广（-55°C至+150°C），能够在恶劣的环境条件下稳定运行，适用于工业自动化、汽车电子等要求较高的应用场景。
　　最后，LMBT817-40LT1G的制造工艺成熟，具有高度的生产一致性和可靠性，能够在大批量生产中保持稳定的性能，降低故障率。同时，其价格相对低廉，性价比高，是许多电子设计工程师的首选晶体管之一。

LMBT817-40LT1G 适用于多种电子系统的开关和放大功能。
　　在开关应用中，该晶体管常用于控制LED、继电器、小型电机和固态继电器等负载。由于其较高的电流增益和较低的饱和压降，可以实现高效的开关操作，适用于电源管理模块和嵌入式系统中的负载控制。
　　在放大应用中，LMBT817-40LT1G可用于音频放大器的前置级或驱动级，也可用于传感器信号的放大和处理。其100 MHz的过渡频率使其适用于低频至中频的信号放大，如无线通信设备中的射频前端、无线接收模块的信号放大等。
　　此外，该晶体管在数字电路中可作为逻辑电平转换器或缓冲器使用，用于隔离不同电压域的电路。其SOT-23封装也适合在便携式设备中使用，如智能手机、平板电脑、穿戴设备等产品中的电池管理电路、显示屏背光控制电路等。
　　工业控制领域中，该晶体管可用于PLC模块、工业传感器、电机驱动和继电器控制等应用。其宽广的工作温度范围和较高的可靠性使其能够在严苛的工业环境中稳定运行。

BC817-40, PN2222A, 2N3904, MMBT817, KSC817