ERE51-06 时间：2025/8/9 5:05:15 阅读：25

ERE51-06 是一款由 Toshiba（东芝）公司推出的功率MOSFET模块，主要用于高功率开关应用，如工业电源、逆变器、电机控制以及不间断电源（UPS）系统等。该模块集成了两个N沟道MOSFET器件，并采用双列直插式（DIP）封装，适用于高频率和高效能的电力电子系统。ERE51-06 设计上注重热管理和电气性能，能够提供稳定的导通和关断特性，适用于需要高可靠性和紧凑结构的功率转换设备。

参数

类型：功率MOSFET模块
　　结构：双N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.15Ω（每个MOSFET）
　　封装形式：DIP（双列直插式）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻（Rth）：约1.0°C/W（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约120nC（典型值）
　　最大耗散功率（PD）：300W

特性

ERE51-06 的核心特性在于其高功率密度和优异的热性能。模块采用先进的封装技术，确保在高电流和高开关频率下的稳定性。其双N沟道MOSFET结构可以有效地减少导通损耗和开关损耗，提高整体系统的效率。此外，模块的封装设计优化了热传导路径，使得热量能够更有效地散发，从而延长器件的使用寿命。
　　此外，ERE51-06 具有良好的抗短路能力和高雪崩能量承受能力，使其在恶劣的工作环境下依然能够保持稳定运行。模块内部的两个MOSFET之间具有良好的电气隔离，确保在半桥或全桥拓扑中工作的可靠性。
　　该模块还具有较低的寄生电感，有助于减少开关过程中的电压尖峰，降低EMI（电磁干扰）问题。此外，由于采用了高耐压的Si（硅）芯片技术，ERE51-06 可以在较高的工作电压下稳定运行，适用于多种功率转换应用。

应用

ERE51-06 广泛应用于工业电源、逆变器、UPS（不间断电源）、电机驱动器、太阳能逆变器以及高频开关电源等高功率系统中。由于其高功率密度和良好的热管理能力，该模块特别适合空间受限且需要高效能的设备。例如，在UPS系统中，ERE51-06 可用于DC-AC逆变器部分，提供高效、稳定的交流输出；在电机控制应用中，它可以作为功率开关元件，实现对电机的精确控制；在工业电源系统中，它可用于高频开关电源的设计，提高整机的效率和可靠性。