LMBT4403WT1G是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件专为高频、高速开关应用而设计,适用于广泛的电子电路,特别是在数字逻辑电路、放大电路和电源管理应用中。LMBT4403WT1G采用SOT-23(TO-236)封装,适合表面贴装技术(SMT)工艺,具有紧凑的尺寸和良好的热性能。
晶体管类型:NPN
集电极-发射极电压(Vceo):40V
集电极电流(Ic):200mA
功率耗散(Pd):300mW
过渡频率(fT):100MHz
电流增益(hFE):在Ic=2mA时为110(最小值)
工作温度范围:-55°C至+150°C
存储温度范围:-65°C至+150°C
LMBT4403WT1G是一款高性能NPN晶体管,具备优异的开关特性和高频响应能力。其过渡频率(fT)高达100MHz,使其适用于需要快速开关的应用,如射频放大器和数字逻辑电路中的缓冲器。此外,该晶体管具有较高的电流增益(hFE),在Ic=2mA时可达到110以上,确保了稳定的放大性能。
该器件的集电极-发射极击穿电压(Vceo)为40V,能够承受较高的电压应力,适用于中等功率的开关应用。最大集电极电流为200mA,满足大多数低功耗电路的需求。LMBT4403WT1G的功耗为300mW,配合SOT-23封装的良好散热性能,使其在高频率工作条件下仍能保持稳定。
这款晶体管的工作温度范围广泛,从-55°C到+150°C,适用于工业级和汽车电子应用,确保在恶劣环境下也能正常工作。其SOT-23封装形式便于自动化生产和表面贴装,降低了PCB设计的复杂性。
LMBT4403WT1G广泛应用于高频放大器、数字逻辑电路、开关电源、LED驱动电路、传感器接口电路以及通信设备中的信号处理模块。此外,它还常用于汽车电子系统、工业自动化设备和消费类电子产品中的低功率开关和放大应用。
BC847 NPN, 2N3904, PN2222A