电容值：680μF
　　容差：±20%
　　额定电压：35V
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　温度特性：X7R
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　长度：3.2mm
　　宽度：2.5mm
　　高度：2.5mm
　　端接类型：镍/锡镀层
　　直流偏压特性：典型下降约40% @ 额定电压
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 ≥100S，取较小值
　　最大纹波电流：依据应用条件而定
　　老化率：≤2.5% / decade hour
　　包装形式：卷带包装，7英寸卷盘

UHE1V681MHD3具备多项关键特性，使其在众多MLCC产品中脱颖而出。首先，其采用X7R介电材料，提供在宽温度范围内（-55°C至+125°C）稳定的电容性能，电容变化率控制在±15%以内，这对于需要温度稳定性的电源管理模块至关重要。其次，该器件具有较高的体积效率，在1210封装内实现680μF的大容量，显著提升了功率密度，有助于缩小整体PCB面积，满足便携式设备和高集成度系统的设计需求。
　　另一个重要特性是其优异的直流偏压表现。尽管所有高介电常数陶瓷电容都会在施加电压时出现容量下降，但UHE1V681MHD3通过优化内部叠层结构和介质配方，将这种效应控制在合理范围内——在35V满额电压下电容值下降约40%，仍能保留足够的有效容量用于滤波和储能功能。此外，其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性使其在高频开关电源环境中表现出色，能够有效抑制噪声并提高转换效率。
　　从可靠性角度看，该电容器采用全镍阻挡层（Ni-barrier）端子技术，有效防止铜或银离子迁移，避免因环境湿度或长期使用导致的短路风险。这一设计极大增强了在高温高湿条件下的耐久性，适合部署于户外通信基站、车载信息娱乐系统等恶劣环境。同时，器件通过了AEC-Q200应力测试认证，表明其可在汽车级温度循环、机械振动和寿命测试中保持性能稳定，适用于发动机舱外电子控制单元（ECU）、ADAS传感器供电等场景。
　　最后，UHE1V681MHD3支持回流焊工艺，兼容无铅焊接流程，峰值温度可达260°C，符合现代自动化SMT生产线的要求。其卷带包装方式便于高速贴片机取料，提升生产效率。总体而言，这些特性共同构成了一个高可靠性、高性能的陶瓷电容解决方案，适用于对质量和稳定性有严苛要求的应用场合。

UHE1V681MHD3广泛应用于多个高要求的技术领域。在汽车电子方面，它被用于车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）电源模块、车身控制模块以及电动助力转向系统的去耦与滤波电路中，凭借其AEC-Q200认证和宽温工作能力，确保车辆在极端气候条件下仍能稳定运行。在工业控制领域，该电容器常见于PLC控制器、伺服驱动器、工业电源模块和人机界面设备中，用于稳定DC-DC转换器输出电压，减少电磁干扰，提高系统抗噪能力。
　　通信基础设施也是其重要应用方向之一。在5G基站、光模块、路由器和交换机等设备中，UHE1V681MHD3作为局部电源去耦电容，可有效吸收高频瞬态电流，维持供电轨的稳定性，保障信号完整性。此外，在高端消费类电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理单元中，该器件用于CPU/GPU核心供电的旁路网络，帮助应对快速负载变化带来的电压波动。
　　医疗电子设备同样受益于该电容器的高可靠性特性。例如，在便携式监护仪、超声成像设备和病人监测终端中，UHE1V681MHD3用于隔离噪声并提供稳定的参考电压，确保诊断数据的准确性。此外，在服务器和数据中心的电源分配网络（PDN）中，这类大容量MLCC常与电解电容并联使用，以弥补传统铝电解或钽电容在高频响应上的不足，实现更平坦的阻抗曲线，提升整体电源质量。

GRM32ER7EA686ME11L
　　CL32E686MCJHNNE
　　C3225X7R1V687M250AC