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MBRD1035CTLG 发布时间 时间:2023/4/6 11:15:11 查看 阅读:402

MBRD1035CTLG技术参数

目录

概述

反向重复峰值电压VRRM(max)(V):10

平均整流器前向电流IO(max)(A):35

瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.49@10A

非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):100

瞬间反转电流IR(max)(mA):2

封装/温度(℃):DPAK/150(MAX)

资料

厂商
ON Semiconductor

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MBRD1035CTLG产品

MBRD1035CTLG参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列SWITCHMODE™
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)470mV @ 5A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电2mA @ 35V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)5A
  • 电压 - (Vr)(最大)35V
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 二极管类型肖特基
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装管件
  • 其它名称MBRD1035CTLG-NDMBRD1035CTLGOS