时间：2023/4/6 11:15:11
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MBRD1035CTLG技术参数
反向重复峰值电压VRRM(max)(V)：10
平均整流器前向电流IO(max)(A)：35
瞬间前向电压VF(max)@IF(V)：0.49@10A
非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A)：100
瞬间反转电流IR(max)(mA)：2
封装/温度(℃)：DPAK/150(MAX)
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
