LMBT3904LT1G 是一款由ON Semiconductor生产的NPN型双极性晶体管(BJT),广泛应用于开关和放大电路中。该晶体管采用SOT-23封装,适用于各种通用电子设备和电路设计。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流:200mA
最大集电极-发射极电压:40V
最大基极电流:20mA
最大耗散功率:300mW
增益带宽积:250MHz
电流增益(hFE):100至300(具体取决于电流)
工作温度范围:-55°C至150°C
LMBT3904LT1G具有出色的高频性能和稳定的电流增益特性,非常适合用于高速开关和信号放大应用。该器件采用先进的硅外延平面技术,确保了良好的热稳定性和电气性能。其小型SOT-23封装使其非常适合在空间受限的电路板上使用。
此外,LMBT3904LT1G的低饱和电压特性使其在开关应用中能够减少功耗并提高效率。该晶体管还具有较高的可靠性和较长的使用寿命,适用于各种工业和消费类电子产品。其设计支持快速切换,因此在数字逻辑电路和脉冲电路中表现优异。
由于其宽泛的工作温度范围,LMBT3904LT1G能够在恶劣的环境条件下正常工作,例如在汽车电子系统或工业控制设备中。
LMBT3904LT1G主要用于开关电路、放大电路、逻辑电平转换、LED驱动、继电器驱动以及各种通用电子设备中的信号处理。它也常用于数字电路中的缓冲器和驱动器,以及在射频(RF)电路中作为前置放大器。
MMBT3904, BC847, 2N3904