6CE27AX 时间：2025/9/21 11:49:35 阅读：32

6CE27AX是一款由安森美（onsemi）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效功率切换的电子系统中。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性等优点，能够在高频率工作条件下保持较低的导通损耗和开关损耗。6CE27AX特别适用于追求高能效和紧凑设计的电源管理应用。其封装形式通常为DPAK或类似的表面贴装/通孔兼容封装，便于在多种PCB布局中使用，并具备良好的散热性能。该MOSFET的设计注重可靠性，在高温和高电压环境下仍能稳定运行，适合工业级和汽车级应用场景。

参数

型号：6CE27AX
　　制造商：onsemi（安森美）
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：7.0 A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：28 A
　　功耗（PD）：125 W
　　导通电阻RDS(on)：0.27 Ω（@VGS=10V, ID=3.5A）
　　阈值电压（VGS(th)）：3.0 V ~ 5.0 V
　　输入电容（Ciss）：1100 pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：370 pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：45 ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

特性

6CE27AX采用先进的沟槽式场效应晶体管结构，通过优化的元胞设计和制造工艺实现了极低的导通电阻，从而显著降低了在高电流条件下的导通损耗，提高了整体系统效率。该器件具备出色的开关性能，其输入和输出电容值经过优化，使得在高频开关应用中能够减少开关能量损耗，提升电源转换效率。栅极电荷（Qg）较低，意味着驱动电路所需的驱动功率较小，有助于简化驱动设计并降低外围元件成本。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，其热阻（RθJC）较低，能够有效地将内部产生的热量传导至散热器或PCB，避免因过热导致的性能下降或器件损坏。
　　该器件还具备较强的雪崩耐受能力，能够在瞬态过压或电感负载断开时承受一定的能量冲击，提升了系统的鲁棒性。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，减少了在续流过程中产生的反向恢复电荷和尖峰电压，有助于降低电磁干扰（EMI）并提高系统可靠性。6CE27AX符合RoHS环保要求，并通过了AEC-Q101等汽车级可靠性认证，适用于严苛的工业与车载环境。其稳定的电气特性和长期可靠性使其成为众多高端电源设计中的首选功率开关器件。

应用

6CE27AX常用于各类开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器、离线式反激变换器、PFC（功率因数校正）电路以及DC-DC降压/升压转换器中，作为主开关或同步整流开关使用。由于其高耐压（600V）特性，特别适用于连接整流后市电的应用场景，如家用电器电源模块、LED照明驱动电源和工业控制电源。在电机驱动领域，该器件可用于小型电机的H桥或半桥驱动电路，实现高效的能量控制。此外，6CE27AX也广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和电池管理系统等新能源相关设备中，提供可靠的功率切换功能。其优异的热性能和可靠性也使其适合部署在空间受限但散热条件有限的密闭环境中。