时间：2025/8/13 23:59:44
阅读：34
LMBT2506QLT1G是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于需要高效率和高可靠性的应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，使其在电源管理和功率转换应用中表现出色。LMBT2506QLT1G采用SOT-223封装，适合表面贴装工艺，适用于多种电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：25V
最大漏极电流(ID)：6A
导通电阻(RDS(on))：22mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：15nC（典型值）
最大功耗(PD)：45W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-223
LMBT2506QLT1G具备多项优异特性，首先，其低导通电阻(RDS(on))确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件采用Trench沟槽技术，使得其在较小的封装中实现了更高的性能，同时具备良好的热稳定性。此外，LMBT2506QLT1G的高电流承载能力（6A）和较低的栅极电荷（Qg）使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。
在可靠性方面，LMBT2506QLT1G具有宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），可在极端环境下稳定工作。其SOT-223封装设计不仅节省空间，还提高了散热性能，适合高密度电路设计。该器件还具备较强的抗雪崩击穿能力，能够在负载突变或短路情况下提供更高的稳定性，延长设备使用寿命。
该MOSFET在封装和制造过程中遵循AEC-Q101汽车级标准，适用于汽车电子系统，如车载电源管理、电动助力转向系统（EPS）和LED照明驱动。同时，其无铅封装设计符合RoHS环保标准，满足现代电子产品对环保的要求。
LMBT2506QLT1G广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动和LED照明驱动。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、车身控制模块（BCM）以及电池管理系统（BMS）。此外，LMBT2506QLT1G也适用于工业自动化设备、便携式电子产品和消费类电源管理模块。
Si2302DS, IRF7409, AO4406A, FDS6680, NVTFS5C471NL
