时间：2025/9/14 22:03:18
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PMDT290UCEH 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高功率密度的应用设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流能力，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载管理等场景。PMDT290UCEH 采用先进的沟槽栅技术，提供卓越的热稳定性和电气性能。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：160A
导通电阻(Rds(on))：1.75mΩ（典型值）
功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
PMDT290UCEH 具有以下显著特性：
首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为 1.75mΩ，有效降低了导通损耗，提高了系统效率，特别适用于高电流应用场景。
其次，该 MOSFET 最大连续漏极电流可达 160A，具备优异的电流承载能力，适用于高功率输出的电源系统。
再者，PMDT290UCEH 采用先进的沟槽栅技术，使得其在高温下仍能保持稳定的电气性能，提升了器件的可靠性和寿命。
此外，其最大漏源电压为 30V，能够满足低压大电流转换器的需求，如服务器电源、电池管理系统和DC-DC转换器。
最后，PMDT290UCEH 采用 PowerFLAT 5x6 封装，具有优良的热管理能力，便于散热，同时节省空间，适合高密度 PCB 设计。
PMDT290UCEH 被广泛应用于多个领域：
在电源管理方面，它常用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和高效率电源模块中，凭借其低导通电阻和高电流能力，有助于提升电源转换效率并降低能耗。
在工业控制和自动化系统中，该 MOSFET 可用于电机驱动、继电器控制以及高功率负载的开关控制，提供稳定可靠的性能。
此外，它也适用于电池供电系统，如电动工具、储能设备和便携式设备中的功率开关和保护电路。
由于其良好的热稳定性，PMDT290UCEH 也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等应用。
PMDT290UCEH 的替代型号包括 SiSS190N10NM5、IPD90N03S2-07 和 FDS4880，这些型号在参数性能和封装形式上具有相似特性，适用于不同设计需求下的替代选择。
