LMBD301LT1G 时间：2025/8/14 2:16:14 阅读：18

LMBD301LT1G 是由ON Semiconductor生产的一款表面贴装的肖特基势垒二极管，适用于高频和快速开关应用。该器件采用紧凑的SOD-523封装，具有低正向电压降和快速恢复时间的特点。由于其紧凑的封装和高性能特性，LMBD301LT1G广泛应用于便携式电子设备、电源管理和信号处理电路中。

参数

最大重复峰值反向电压：30V
　　最大平均正向电流：100mA
　　最大正向电压（@100mA）：0.375V
　　最大反向漏电流（@30V）：100nA
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C

特性

LMBD301LT1G肖特基二极管具有多项优异的电气特性，使其在高频和低功耗应用中表现出色。首先，其低正向电压降（在100mA时为0.375V）显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了能效。这使得该器件非常适合用于电池供电设备和低功耗系统。其次，LMBD301LT1G具有极快的恢复时间，使其能够在高频开关应用中保持良好的性能。此外，其最大反向漏电流仅为100nA，在高温环境下仍能保持较低的漏电流，从而提高了系统的稳定性。
　　该器件采用SOD-523封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。LMBD301LT1G的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛的环境条件。此外，其封装材料符合RoHS环保标准，符合现代电子产品的环保要求。LMBD301LT1G还具有良好的热稳定性和可靠性，适用于长时间运行的应用场景。

应用

LMBD301LT1G主要用于高频开关电路、便携式电子产品、电源管理系统、DC-DC转换器、信号检波电路以及电池保护电路。由于其低正向电压降和快速恢复特性，该器件在无线通信设备、移动电话、笔记本电脑和消费类电子产品中广泛使用。此外，LMBD301LT1G还可用于高精度传感器电路中的信号整流和保护应用。
　　在电源管理方面，LMBD301LT1G可作为负载开关或反向电流保护器件，有效提高系统的能效和稳定性。在DC-DC转换器中，该器件可用于提高转换效率，减少能量损耗。同时，由于其良好的高频特性，LMBD301LT1G也常用于射频（RF）电路中的信号检波和调制解调应用。