时间：2025/6/20 18:53:40
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HH21N6R8C101CT是一款高性能的闪存存储芯片，专为嵌入式系统和数据存储应用设计。该芯片采用先进的NAND Flash技术，具备高容量、低功耗以及快速读写速度的特点。适用于消费电子、工业控制、汽车电子等多种领域。
容量：64Gb
接口类型：Toggle DDR 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
引脚数：169
读取速度：最高可达400MB/s
写入速度：最高可达200MB/s
擦除次数：3000次
数据保持时间：10年
工作温度范围：-40°C至+85°C
HH21N6R8C101CT采用了最新的制造工艺，提供更高的存储密度和更低的功耗。其Toggle DDR 2.0接口确保了高速的数据传输能力，同时支持多任务处理和高效能需求的应用场景。此外，该芯片内置ECC（错误检查与纠正）功能，有效提高了数据可靠性。
该芯片还具有低延迟性能和强大的坏块管理功能，能够显著优化存储系统的稳定性和使用寿命。
在安全性方面，HH21N6R8C101CT支持数据加密功能，确保用户数据的安全性。
这款芯片广泛应用于各种需要大容量存储和快速响应的设备中，包括但不限于智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）、监控系统、车载娱乐系统等。此外，在工业自动化、物联网（IoT）设备和医疗设备中也有广泛应用。
HH21N6R8C102CT
HH21N6R8C103CT
HH21N6R8C104CT
