型号：CM50AD42-12H
　　器件类型：IGBT模块（半桥）
　　额定电压（VCES）：1200V
　　额定电流（IC @ 25°C）：50A
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat) @ IC=50A, VGE=15V）：约2.1V
　　栅极阈值电压（VGE(th)）：典型值5.0V
　　开关频率：最高支持20kHz以上
　　反向恢复时间（trr）：典型值< 50ns
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　隔离电压（Viso）：≥2500VAC
　　封装形式：D-type 或类似工业标准模块封装
　　内置NTC：是

CM50AD42-12H采用先进的沟槽栅场截止（Trench Field-Stop）IGBT芯片技术，这种结构能够显著降低器件的导通压降（VCE(sat)）和开关损耗，从而提高整体能效。其低VCE(sat)特性使得在大电流工作条件下产生的热量更少，有助于降低散热系统的设计复杂度和成本。同时，该模块优化了载流子分布和电场分布，提升了器件的动态性能和抗短路能力，能够在短时间内承受较高的过电流冲击，增强了系统运行的稳定性与安全性。
　　该模块内部集成的反并联二极管采用了快速软恢复技术，具备较低的反向恢复电荷（Qrr）和较软的恢复特性，有效减少了换流过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高了系统在高频开关环境下的可靠性。这对于电机驱动和逆变电源等对噪声敏感的应用尤为重要。此外，快速恢复特性也有助于减少二极管的开通损耗，进一步提升整体效率。
　　CM50AD42-12H采用高可靠性的焊接工艺和陶瓷基板（如Al2O3或AlN）设计，具有优异的热传导性能和长期热循环耐久性。模块外壳具备高电气隔离能力，符合国际安全标准，适用于工业级恶劣环境。内置的NTC热敏电阻可实时反馈模块温度信息，便于控制系统实施过温保护、风扇调速或降额运行策略，提升设备的安全等级。
　　该模块支持直接母排连接或螺栓安装方式，便于实现低寄生电感的直流链路设计，减少电压振荡风险。其引脚布局经过优化，满足EMC设计要求，并兼容主流驱动电路设计方案，用户可通过标准IGBT驱动芯片（如HCPL-316J、2ED020I12-F等）进行高效驱动。总体而言，CM50AD42-12H在性能、可靠性与集成度之间实现了良好平衡，适用于多种中高功率应用场景。

CM50AD42-12H广泛应用于各类中高功率电力电子变换装置中。在工业电机驱动领域，它常被用于三相交流变频器、伺服驱动器等设备中，作为核心功率开关元件实现对电机速度和转矩的精确控制。其高耐压和大电流承载能力使其适用于380VAC至690VAC输入的工业动力系统。
　　在可再生能源系统中，该模块可用于光伏逆变器和储能变流器（PCS）的DC-AC转换环节，特别是在组串式或集中式逆变器中承担主逆变功能。其高效率和高可靠性有助于提升发电系统的整体转换效率和使用寿命。
　　在不间断电源（UPS）系统中，CM50AD42-12H可用于在线式UPS的逆变输出级，确保市电中断时负载供电的无缝切换和高质量正弦波输出。其快速响应能力和稳定的热性能保障了UPS在长时间运行中的可靠性。
　　此外，该模块也适用于感应加热电源、电焊机电源、电动汽车充电桩（尤其是直流桩的辅助电源或PFC级）、电化学电源等需要高功率密度和高效率转换的场合。由于其具备良好的动态特性和温度适应性，CM50AD42-12H在高温、高湿、强振动等工业环境中仍能保持稳定运行，满足严苛的工业应用需求。

FF50R12KS4
　　SKM50GB12T4
　　MG75Q2YS60
　　CM60AD-12H