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LM5110-3M 发布时间 时间:2025/7/18 23:47:51 查看 阅读:5

LM5110-3M 是一款由 Texas Instruments(德州仪器)推出的双通道、高频、高压栅极驱动器集成电路,专为驱动功率MOSFET和IGBT等功率开关器件设计。该芯片采用先进的BiCMOS工艺制造,具有高驱动能力和宽工作电压范围,适用于各种开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和电源管理系统。

参数

工作电压范围:5V 至 60V
  输出驱动电流:高端 2.5A / 低端 5A
  工作频率:最高可达 1MHz
  传播延迟:典型值 18ns
  输出电压摆幅:与电源电压同步(可支持高侧浮动电压至 60V)
  封装形式:8 引脚 VSSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C

特性

LM5110-3M 的核心优势在于其卓越的驱动性能和广泛的应用适应性。该器件采用自举供电架构,支持高侧开关的浮动电源供电,使其适用于升压、半桥和全桥拓扑结构。其双通道设计分别独立控制高端和低端功率开关,具备极低的传播延迟和匹配延迟时间,有助于提升开关同步性能和整体系统效率。
  该芯片内置欠压锁定(UVLO)保护功能,确保在电源电压不足时关闭输出,防止功率器件误操作。此外,LM5110-3M 具有较强的抗干扰能力,能够在高频开关环境下保持稳定运行,适用于电源转换效率要求较高的工业和汽车应用。
  其封装采用小型化的 8 引脚 VSSOP 设计,节省电路板空间,便于高密度布局。同时,芯片具备良好的热稳定性,在高温环境下仍能维持可靠工作。

应用

LM5110-3M 被广泛应用于各种高频、高压功率转换系统中,包括同步降压/升压变换器、隔离式 DC-DC 转换器、电机控制驱动器、太阳能逆变器、服务器电源系统以及汽车电子中的功率模块。其优异的驱动能力和高频响应特性也使其成为谐振变换器和ZVS(零电压开关)拓扑的理想选择。

替代型号

LM5110-2M, LM5111, NCP8107, IRS2001

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LM5110-3M参数

  • 制造商National Semiconductor (TI)
  • 类型Low Side
  • 上升时间25 ns
  • 下降时间25 ns
  • Supply Voltage - Max14 V
  • Supply Voltage - Min3.5 V
  • 电源电流2 mA
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOIC-8 Narrow
  • 封装Tube
  • 配置Inverting, Non-Inverting
  • 最小工作温度- 40 C
  • 激励器数量2
  • 输出端数量2
  • 输出电流5 A (Typ)
  • 工厂包装数量95