HVU202TRU是一款由Renesas(原Intersil)生产的高电压、高边N沟道MOSFET驱动器集成电路。该芯片专为需要高电压操作和高效率的功率转换应用设计,能够驱动N沟道MOSFET或IGBT器件。其高边驱动能力使其适用于半桥、全桥和同步整流等拓扑结构。HVU202TRU采用紧凑的TSSOP封装,具备良好的热性能和可靠性,广泛用于电源转换器、电机驱动、工业自动化和新能源系统等领域。
电源电压范围:10V至20V
输出驱动电压:最高可达+20V
输出峰值电流:±4A
传播延迟:典型值35ns
上升/下降时间:典型值15ns(250pF负载)
工作温度范围:-40°C至+125°C
封装形式:TSSOP-20
高压侧浮动电压:最高600V
HVU202TRU具备多项高性能特性,确保其在复杂功率应用中的稳定性和效率。
首先,该芯片支持高达600V的高边浮动电压,适用于高压功率转换系统,如PFC(功率因数校正)电路、DC-DC转换器和逆变器等。
其次,其输出驱动能力高达±4A,能够快速充放电MOSFET栅极电容,从而减少开关损耗并提高系统效率。芯片内部集成死区时间控制逻辑,防止上下桥臂直通短路,增强系统安全性。
此外,HVU202TRU具有欠压锁定(UVLO)保护功能,当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出,防止MOSFET因驱动电压不足而损坏。该芯片还具有较强的抗干扰能力,采用HVIC(高压集成电路)工艺制造,能够有效抑制高dv/dt环境下的误触发。
其紧凑的TSSOP封装不仅节省空间,还提供了良好的散热性能,适合高密度功率系统设计。
HVU202TRU广泛应用于需要高电压和高效率的功率电子系统中。常见的应用包括:
1. 半桥和全桥DC-DC转换器,用于电信电源、服务器电源和工业电源系统。
2. PFC(功率因数校正)电路,用于提升电源效率并满足国际能效标准。
3. 电机驱动系统,如无刷直流电机(BLDC)和伺服电机控制器。
4. 新能源系统,如光伏逆变器和储能系统的功率转换模块。
5. 高压同步整流电路,用于提高转换效率并减少发热。
由于其优异的驱动能力和保护功能,HVU202TRU也被广泛用于各种工业自动化设备、医疗电源和电动汽车充电模块中。
Si8235BB-D-ISR, IRS2104S, TC4420CPA, LM5106MM