时间：2025/9/3 21:28:43
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LM3429MH/NOPB 是由 Texas Instruments（德州仪器）生产的一款高压、高侧 N 沟道 MOSFET 控制器，专为升压（Boost）、SEPIC 和反激式（Flyback）拓扑设计。该器件采用电流模式控制，具有宽输入电压范围，适用于需要高效率和高可靠性的电源系统。LM3429MH/NOPB 适用于 LED 驱动器、电池充电器、DC-DC 转换器等应用。
封装类型：TSSOP
引脚数：16
工作电压范围：6V 至 90V
最大开关频率：1MHz
控制器类型：高侧 N 沟道 MOSFET 控制器
拓扑结构：升压、SEPIC、反激式
控制方式：电流模式
工作温度范围：-40°C 至 125°C
输出电流能力：外部 MOSFET 驱动能力 2A（源电流）/3A（灌电流）
LM3429MH/NOPB 具有宽输入电压范围（6V 至 90V），适用于多种电源输入条件。其电流模式控制架构提高了系统的稳定性和响应速度，并简化了补偿设计。该器件集成了软启动功能，可防止启动时的过冲和浪涌电流。此外，LM3429MH/NOPB 提供了多种保护功能，包括逐周期电流限制、过热保护（OTP）和欠压锁定（UVLO），确保系统在异常情况下可靠运行。
该控制器支持高达 1MHz 的开关频率，允许使用小型电感和电容，从而减小整体电源模块的尺寸。其高侧驱动器能够高效驱动外部 N 沟道 MOSFET，适用于高输入电压应用。LM3429MH/NOPB 还具备可调斜率补偿功能，有助于在连续导通模式下维持稳定运行。此外，该器件的使能（EN）引脚支持外部控制，便于实现电源管理功能。
LM3429MH/NOPB 广泛应用于 LED 照明驱动器、DC-DC 升压转换器、电池充电器、工业电源系统、电信设备电源、SEPIC 和反激式转换器等场景。由于其高输入电压能力和高效率特性，该器件特别适合用于需要高功率密度和高可靠性的工业及汽车电子系统。
LM5118MH/NOPB, LM3421MH/NOPB, LM3428MH/NOPB
