时间：2025/8/13 14:29:26
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LDTB114TLT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 类型的晶体管。该晶体管主要用于通用开关和放大应用，具有良好的性能和可靠性，适用于各种电子电路设计。
类型：NPN 双极性晶体管
最大集电极-发射极电压（VCEO）：100V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：300mW
增益带宽积（fT）：250MHz
电流增益（hFE）：110-800（根据不同等级）
封装类型：SOT-23
LDTB114TLT1G 晶体管具有多项优良特性，适合多种应用场景。
首先，其最大集电极-发射极电压（VCEO）为 100V，能够承受较高的电压，适合用于中高电压应用。此外，最大集电极电流为 100mA，适用于中等电流的开关和放大电路。
其次，该晶体管的电流增益（hFE）范围广泛，从 110 到 800 不等，具体取决于不同的等级。这种可变增益特性使得设计人员可以根据实际需求选择合适的晶体管，以优化电路性能。
另外，LDTB114TLT1G 的增益带宽积（fT）为 250MHz，表明其在高频应用中也能保持良好的性能，适用于射频和高速开关电路。
最后，该晶体管采用 SOT-23 封装，体积小巧，便于在紧凑的电路板上布局，同时也便于自动化生产和焊接。
LDTB114TLT1G 晶体管广泛应用于多个领域。首先，它常用于通用开关电路，例如在数字电路中作为开关元件，控制负载的通断。其次，由于其良好的增益和频率特性，LDTB114TLT1G 也常用于音频放大器、射频放大器等模拟电路中。此外，它还可以用于传感器电路、电源管理和信号处理等领域，为各种电子设备提供可靠的性能支持。
BC547, 2N3904, PN2222
