时间：2025/5/10 13:06:13
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DMN3015LSD 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），由 Diodes Incorporated 生产。该器件采用超小型 SOT23-3 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于便携式设备、消费电子、通信设备中的负载开关、同步整流和 DC/DC 转换等应用。
这款 MOSFET 的设计优化了空间受限的应用场景，同时具备出色的电气性能，使其成为众多低功率应用的理想选择。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.7A
导通电阻（Rds(on)）：120mΩ（典型值，Vgs=4.5V时）
总功耗：460mW
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT23-3
DMN3015LSD 具有以下主要特性：
1. 超低导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频开关电源和其他高频应用。
3. 极小的 SOT23-3 封装尺寸，便于在空间有限的设计中使用。
4. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品对绿色制造的要求。
5. 支持较宽的工作温度范围，适应各种环境条件下的稳定运行。
6. 稳定可靠的性能，适用于多种消费类及工业类应用场景。
DMN3015LSD 广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的负载开关控制。
2. 各种便携式设备（如手机、平板电脑等）的电源管理电路。
3. 同步整流器设计中的关键元件。
4. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
5. 电机驱动电路中的开关器件。
6. 电池保护电路中的隔离或切换元件。
DMN2997USG, BSS138
