时间：2025/7/2 16:05:13
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LM-L2N7002LT1G-ES 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，采用增强型设计，支持高频开关和低导通电阻特性。该器件广泛应用于电源管理、工业自动化、通信设备等领域，特别适合需要高效能和高频率操作的场景。
此型号具有优异的热性能和电气性能，能够显著提升系统效率并减少整体尺寸及重量。
类型：增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
最大漏源电压(Vds)：700V
最大栅极驱动电压(Vgs)：6V/10V
最大连续漏极电流(Id)：2A
导通电阻(Rds(on))：380mΩ（典型值@ Vgs=10V）
输入电容(Ciss)：940pF
输出电容(Coss)：26pF
反向传输电容(Crss)：12pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1. 基于氮化镓材料，提供卓越的开关性能和效率。
2. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗。
3. 高耐压能力（700V），适用于高压应用环境。
4. 支持高达几兆赫兹的开关频率，非常适合高频DC-DC转换器等应用。
5. 小型化的封装设计，节省PCB空间。
6. 提供增强型模式，简化了驱动电路设计并增强了可靠性。
7. 出色的热稳定性，能够在极端温度条件下稳定运行。
1. 开关电源(SMPS)中的功率因数校正(PFC)级。
2. 高频DC-DC转换器。
3. 电动汽车充电设备。
4. 工业电机驱动控制。
5. 可再生能源逆变器（如太阳能逆变器）。
6. LED驱动器和其他需要高效率和高频工作的电子系统。
L2N7002LT1G-EV, L2N7002LT1G-DT
