LH531VTW 是一款由 Rohm(罗姆)公司生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高效率电源管理应用。该器件采用小型表面贴装封装(通常为 TSMT6 封装),具有低导通电阻、高耐压和高电流能力,适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等电路中。LH531VTW 在设计上优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡,有助于提高电源系统的整体效率。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):100A(在 Tc=25°C)
导通电阻(Rds(on)):最大 1.9mΩ(在 Vgs=10V)
功率耗散(Pd):120W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TSMT6
LH531VTW 的核心特性包括其极低的导通电阻(Rds(on)),这使得在大电流工作条件下能够显著降低导通损耗,提高系统效率。该器件的高耐压能力(30V)确保其在多种电源应用中具备良好的稳定性与可靠性。此外,LH531VTW 采用了先进的沟槽结构技术,有助于优化开关性能,减少开关过程中的能量损耗。其 TSMT6 封装形式具备良好的散热性能,同时适合高密度 PCB 布局,有助于减小整体电路尺寸。该 MOSFET 还具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行,并具备较强的抗过载能力。
此外,LH531VTW 具备快速开关能力,能够支持高频开关电源设计,从而减小外部电感和电容的尺寸,提高电源系统的响应速度和动态性能。其栅极驱动电压范围较宽(通常为 4.5V~20V),兼容多种驱动电路设计,便于与控制器或驱动 IC 配合使用。该器件还具有良好的短路耐受能力,能在异常工作条件下提供一定的保护作用,提高系统的安全性和可靠性。
LH531VTW 广泛应用于多种电源管理电路中,包括但不限于同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动电路以及服务器和通信设备中的电源模块。其高效、低损耗的特性使其成为高功率密度电源设计的理想选择。在汽车电子系统中,LH531VTW 也可用于车载充电器、DC-DC 转换器以及电池保护电路等应用场景。此外,该器件也适用于工业自动化设备、UPS(不间断电源)系统以及储能系统中的关键电源控制环节。
SiR142DP-T1-GE3, FDBL0150N30A, IPB015N03NG