LH531VTW 时间：2025/8/27 17:50:59 阅读：25

LH531VTW 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源管理应用。该器件采用小型表面贴装封装（通常为 TSMT6 封装），具有低导通电阻、高耐压和高电流能力，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等电路中。LH531VTW 在设计上优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，有助于提高电源系统的整体效率。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 1.9mΩ（在 Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：120W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSMT6

特性

LH531VTW 的核心特性包括其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在大电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力（30V）确保其在多种电源应用中具备良好的稳定性与可靠性。此外，LH531VTW 采用了先进的沟槽结构技术，有助于优化开关性能，减少开关过程中的能量损耗。其 TSMT6 封装形式具备良好的散热性能，同时适合高密度 PCB 布局，有助于减小整体电路尺寸。该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，并具备较强的抗过载能力。
　　此外，LH531VTW 具备快速开关能力，能够支持高频开关电源设计，从而减小外部电感和电容的尺寸，提高电源系统的响应速度和动态性能。其栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V~20V），兼容多种驱动电路设计，便于与控制器或驱动 IC 配合使用。该器件还具有良好的短路耐受能力，能在异常工作条件下提供一定的保护作用，提高系统的安全性和可靠性。

应用

LH531VTW 广泛应用于多种电源管理电路中，包括但不限于同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及服务器和通信设备中的电源模块。其高效、低损耗的特性使其成为高功率密度电源设计的理想选择。在汽车电子系统中，LH531VTW 也可用于车载充电器、DC-DC 转换器以及电池保护电路等应用场景。此外，该器件也适用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）系统以及储能系统中的关键电源控制环节。