时间：2025/6/10 15:01:43
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GJM1555C1H2R1CB01D 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率晶体管。该器件专为高频开关应用而设计，具有极低的导通电阻和快速的开关速度。它广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、无线充电以及各类高效能电力电子系统中。
这款芯片采用了先进的封装工艺，确保了卓越的热性能和电气稳定性。其内部结构经过优化，能够在高频率下保持高效的能量转换。
型号：GJM1555C1H2R1CB01D
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
导通电阻（Rds(on)）：1.3 mΩ（典型值，@ Vgs=6V）
击穿电压（BVDSS）：600 V
连续漏极电流（Id）：100 A
栅极电荷（Qg）：70 nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-4L
1. 极低的导通电阻，可显著降低导通损耗，提升整体效率。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷，适合高频开关应用。
3. 高击穿电压支持更高的输入电压，增强了系统的安全性和可靠性。
4. 热性能优异，能够承受高温环境下的长时间运行。
5. 小巧的封装尺寸，有助于节省电路板空间，便于设计布局。
6. 兼容标准硅MOSFET驱动器，简化了设计过程并降低了开发难度。
1. 高效DC-DC转换器
2. 服务器和通信设备中的电源管理系统
3. 太阳能逆变器及储能系统
4. 电动车车载充电器和牵引逆变器
5. 工业电机驱动及控制
6. 无线充电发射端及接收端模块
7. 激光雷达（LiDAR）和其他脉冲电源应用
GJM1555C1H2R2CB01D
GJM1555C1H2R3CB01D
