时间：2025/8/28 8:11:46
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LH52B256N-90LL 是一款由 Sharp（夏普）公司生产的高速 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM），容量为 256Kbit（32K x 8）。该芯片适用于需要高速数据读写的嵌入式系统和工业控制设备，具备低功耗与高可靠性的特点。
类型：SRAM
容量：256Kbit (32K x 8)
电源电压：2.7V - 5.5V
最大访问时间：90ns
封装类型：32引脚 TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装尺寸：12mm x 20mm
读写模式：异步
输入/输出电平：CMOS 兼容
功耗：典型值 5mA（待机模式下 <10μA）
LH52B256N-90LL 是一款高性能的异步 SRAM 芯片，具备高速访问时间和宽电压工作范围，适用于多种嵌入式系统设计。其最大访问时间为 90ns，能够满足对响应速度要求较高的应用场景。芯片支持 2.7V 至 5.5V 的宽电压输入，增强了其在不同系统中的适应能力，尤其适用于电池供电设备以实现低功耗运行。LH52B256N-90LL 采用 32 引脚 TSOP 封装，具有较小的体积和良好的热稳定性，适合高密度 PCB 设计。此外，该芯片支持 CMOS 输入/输出电平，确保了与其他数字逻辑器件的兼容性。在待机模式下，其电流消耗可低于 10μA，有助于延长设备的续航时间。整体而言，该芯片适用于需要高速、低功耗和小型封装的工业控制、通信模块、便携式仪器等应用场合。
LH52B256N-90LL 主要用于需要高速数据缓存的场景，如工业控制设备、通信模块、嵌入式系统、数据采集设备、便携式电子仪器和打印机缓冲器等。其宽电压和低功耗特性也使其适用于电池供电系统和环境监测设备。
ISSI IS62C256AL-45SLI、Microchip 23K256T-I/ST、ON Semiconductor CAT23C256B-GT3、Renesas IDT71V016SA90B
