LH5202Y5 时间：2025/8/27 13:41:28 阅读：5

LH5202Y5 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电池供电设备中的功率控制电路。该器件采用小型表面贴装封装（例如 TSMT4 或 DFN 封装），具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于高密度和高效率的电源设计。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 VDS：20V
　　栅源电压 VGS：±12V
　　连续漏极电流 ID：6.0A
　　导通电阻 RDS(on)：最大 28mΩ（@VGS=4.5V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TSMT4 / DFN4
　　功率耗散（PD）：2.0W
　　阈值电压 VGS(th)：1.0V 至 2.5V

特性

LH5202Y5 具备优异的导通性能和低导通损耗，使其在高效率电源转换应用中表现出色。其低 RDS(on) 值可显著降低功率损耗，提高系统效率。该 MOSFET 采用先进的沟槽栅极技术，提供更稳定的开关性能和更低的开关损耗。此外，LH5202Y5 具有良好的热稳定性，适合在高温环境下运行。其封装形式适合自动化贴片工艺，便于在高密度 PCB 设计中使用。器件还具备较强的抗静电能力和过热保护特性，增强了在实际应用中的可靠性。
　　该器件的栅极驱动电压范围适中，支持常见的 5V 和 3.3V 控制电路，适用于各种数字控制器和微处理器的驱动。此外，LH5202Y5 的快速开关能力使其适用于高频开关电源应用，如同步整流器和负载开关电路。

应用

LH5202Y5 主要应用于便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。它也广泛用于 DC-DC 转换器、电池充电管理电路、电机驱动器、LED 照明控制、负载开关和电源分配系统。由于其低导通电阻和高电流能力，LH5202Y5 非常适合用于需要高效能和小尺寸的现代电子设备。此外，该 MOSFET 在工业自动化、智能电表和汽车电子系统中也有广泛应用。