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FDM15-06KC5 发布时间 时间:2025/8/24 17:31:39 查看 阅读:4

FDM15-06KC5是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,专为高功率应用设计。该模块结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,适用于需要高效能和高可靠性的电力电子设备。

参数

类型:IGBT模块
  额定电压:600V
  额定电流:15A
  封装类型:双列直插式(DIP)
  最大工作温度:150°C
  导通压降:约1.7V(典型值)
  短路耐受能力:5μs
  绝缘等级:增强型绝缘
  安装方式:通孔安装

特性

FDM15-06KC5具有优异的电气性能和热稳定性,适用于各种高功率应用。该模块采用先进的沟槽栅技术和场截止IGBT芯片技术,显著降低了导通损耗和开关损耗,从而提高了整体效率。
  其增强型绝缘设计提供了更高的安全性和可靠性,适合在恶劣的工业环境中使用。此外,该模块具有良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较高的电流,从而保护电路免受损坏。
  FDM15-06KC5还具有较低的电磁干扰(EMI)特性,有助于减少外部滤波器的需求,简化系统设计并降低整体成本。该模块的封装设计优化了散热性能,确保在高负载条件下仍能保持稳定的工作温度。
  此外,该模块具有良好的互换性和兼容性,能够轻松集成到现有的电力电子系统中,适用于多种应用场景。

应用

FDM15-06KC5广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子设备,如工业电机驱动、变频器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等。其高功率密度和低损耗特性使其成为工业自动化和能源管理系统中的理想选择。
  在电机控制应用中,该模块能够提供高效的功率转换,确保电机的平稳运行和精确控制。在太阳能逆变器中,它能够将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,供给电网或本地负载使用。
  此外,该模块还可用于电动汽车充电设备,提供高效的充电解决方案,支持快速充电和多种充电协议。其高可靠性和长寿命设计也使其适用于要求苛刻的工业环境。

替代型号

FDM15-06KC5的替代型号包括FDM15-06KCP、FDM15-06KCA和FDM15-06KCF等。这些型号在性能和参数上与FDM15-06KC5相似,适用于相同的应用场景。用户在选择替代型号时应根据具体的电路设计和应用需求进行评估,以确保最佳的性能和可靠性。

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FDM15-06KC5参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列CoolMOS?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)15A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)165 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 790μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)52 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2000 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装ISOPLUS i4-PAC?
  • 封装/外壳ISOPLUSi5-Pak?