时间：2025/8/28 0:03:59
阅读：10
LH28F640BFHE-PBTLZF 是一颗由Renesas（瑞萨）公司生产的闪存（Flash Memory）芯片，属于高性能、低功耗的NOR Flash存储器系列。该芯片具有64Mbit的存储容量，采用高性能的Eclipse技术，支持快速读取和高可靠性，适用于需要代码存储和数据存储的应用场景。LH28F640BFHE-PBTLZF 采用56引脚TSOP封装，支持工业级温度范围，适合工业控制、汽车电子、通信设备等对可靠性要求较高的应用场景。
容量：64Mbit
组织结构：8M x8 / 4M x16
电源电压：2.3V - 3.6V
读取访问时间：55ns
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装类型：56-TSOP
接口类型：并行
读取电流（典型值）：15mA
待机电流（典型值）：10μA
LH28F640BFHE-PBTLZF 是一款基于Renesas Eclipse技术的高性能NOR Flash存储器，具有优异的读取性能和稳定性。其最大读取访问时间仅为55ns，能够满足高速系统总线的需求，提高系统响应速度。该器件支持多种数据总线配置（x8/x16），兼容多种微控制器和处理器接口，便于系统集成。在电源管理方面，该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），适应多种电源设计环境，并具备低功耗模式，在待机状态下电流消耗可低至10μA，非常适合对功耗敏感的设计。此外，该芯片内置Erase和Program操作的自动控制逻辑，简化了软件设计，并支持扇区擦除和块擦除功能，提升存储管理的灵活性。LH28F640BFHE-PBTLZF 还具备高可靠性，擦写次数可达10万次，数据保存时间长达10年，确保长期稳定运行。
LH28F640BFHE-PBTLZF 适用于多种嵌入式系统和工业应用，如汽车电子控制系统（ECU）、工业控制设备、通信模块（如路由器、交换机）、网络设备、智能仪表、医疗仪器以及需要可靠非易失性存储的场景。其高速读取能力、低功耗特性及高可靠性，使其成为需要代码存储和关键数据存储的理想选择。此外，该芯片也广泛用于需要固件更新和现场可编程存储的应用中，例如POS终端、安防设备和智能家电等。
LH28F640BFHE-PBTLZ, LH28F640BFHE-PBTL, LH28F640BFHE-PBLT, LH28F640BFHE-PTTLZF
