时间：2025/5/6 20:39:12
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CSD17303Q5是一款由德州仪器（TI）生产的N沟道增强型硅 carbide (SiC) MOSFET。这款器件专为高频、高效率开关应用而设计，具有较低的导通电阻和较高的工作温度范围。
该器件采用QFN封装形式，具备出色的热性能和电气特性，非常适合用于功率转换电路如DC-DC转换器、光伏逆变器以及电机驱动等场景。
型号：CSD17303Q5
类型：N-channel SiC MOSFET
VDS(漏源极电压)：650V
RDS(on)(导通电阻)：80mΩ
ID(连续漏极电流)：12A
栅极电荷(Qg)：40nC
输入电容(Ciss)：940pF
输出电容(Coss)：150pF
极间电容(Crss)：45pF
功耗：100W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
CSD17303Q5采用了先进的碳化硅技术，具备以下优点：
1. 高耐压能力：650V的额定漏源极电压使其能够胜任高压应用场景。
2. 低导通电阻：仅80mΩ的导通电阻有助于降低导通损耗并提升整体效率。
3. 快速开关速度：极低的栅极电荷和寄生电容确保了快速的开关性能，从而减少开关损耗。
4. 高温稳定性：其能够在高达175℃的工作环境下保持稳定运行，适用于高温工业环境。
5. 小尺寸封装：QFN封装不仅节省空间，还提供了良好的散热性能。
这些特点使得CSD17303Q5成为高效功率转换应用的理想选择。
CSD17303Q5广泛应用于各种高效率电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)：例如服务器、电信设备中的AC-DC适配器。
2. 光伏逆变器：高效的能源转换提升了太阳能系统的整体性能。
3. 电动汽车(EV)车载充电器：支持快速充电和高能效需求。
4. 工业电机驱动：提供更高的功率密度和更好的动态响应。
5. DC-DC转换器：在分布式电源系统和电池管理系统中表现优异。
CSD17571Q5B
