时间：2025/9/2 10:43:41
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H9TA4GH4GDBCPR-4GM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列。这款存储器芯片主要用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及需要高性能和低功耗内存解决方案的设备。该芯片采用了先进的制造工艺，具备高容量和高速数据传输能力，适用于多任务处理和大数据吞吐量的应用场景。
容量：4GB
数据速率：3200Mbps
封装类型：BGA（球栅阵列封装）
工作电压：1.1V（VDD）和0.6V（VDDQ）
接口类型：LPDDR4
封装尺寸：130-ball FBGA
温度范围：商业级（0°C 至 85°C）
时钟频率：1600MHz
数据预取：2n-Prefetch
带宽：25.6GB/s
H9TA4GH4GDBCPR-4GM 是一款基于LPDDR4标准的高性能DRAM芯片，具备低功耗、高速度和高集成度的特点。
首先，该芯片支持高达3200Mbps的数据速率，能够在双倍时钟频率下工作，显著提升数据传输效率。这种高速性能使其适用于需要快速响应和大数据处理的设备，如旗舰级智能手机和高性能计算模块。
其次，该芯片采用双电压供电设计，核心电压为1.1V，I/O电压为0.6V，有效降低了功耗。相比前代LPDDR3内存，LPDDR4在功耗方面有显著优化，有助于延长移动设备的电池续航时间。
此外，H9TA4GH4GDBCPR-4GM 采用130-ball FBGA（细间距球栅阵列）封装，具有良好的电气性能和热稳定性，适用于紧凑型PCB设计，并能有效减少信号干扰。其工作温度范围为0°C至85°C，适用于大多数消费类电子设备及部分工业级应用场景。
这款DRAM芯片还支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down Mode）和自刷新模式（Self-Refresh Mode），可在设备闲置时显著降低能耗，提高系统能效。
最后，该芯片具备较高的存储密度，单颗容量可达4GB，适用于多通道内存架构，进一步提升系统整体性能。
H9TA4GH4GDBCPR-4GM 主要应用于需要高性能内存支持的设备，如高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、嵌入式系统、便携式游戏设备以及车载信息娱乐系统等。
在智能手机领域，该芯片可以作为主内存（RAM）使用，支持多任务处理、大型应用程序运行以及高清视频播放，显著提升用户体验。
在嵌入式系统和物联网设备中，这款LPDDR4内存芯片能够提供稳定的内存支持，同时兼顾低功耗需求，适用于智能摄像头、边缘计算设备和工业控制系统。
此外，该芯片也广泛用于高性能计算模块、AI加速器和图形处理器的缓存系统，以满足高带宽数据处理的需求。
H9HKNNNCTUMUBR-4DM, H9HP53ABUMMDBG-4GM, H9TP32A8JDACPR-4GM
