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CS3N80 发布时间 时间:2025/8/1 23:11:59 查看 阅读:16

CS3N80是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,能够在高温环境下稳定工作。CS3N80广泛应用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关以及工业控制设备中。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(VDS):80V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):160A
  导通电阻(RDS(on)):最大4.5mΩ(在VGS=10V时)
  功率耗散(PD):200W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

CS3N80具有极低的导通电阻,这使得在大电流工作条件下能够显著降低功率损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET采用了先进的封装技术,具备优异的热性能,能够快速散热,确保在高负载条件下的稳定运行。
  该器件的栅极设计优化了开关特性,减少了开关损耗,并提高了抗干扰能力。CS3N80还具有较高的雪崩能量耐受能力,能够在突发的高电压情况下保护电路不受损坏。
  此外,CS3N80的封装形式(TO-263)适用于表面贴装工艺,便于自动化生产和良好的焊接可靠性。该MOSFET符合RoHS环保标准,适合绿色电子产品的设计需求。

应用

CS3N80广泛应用于各种电源管理和功率控制领域。例如,在DC-DC转换器中,CS3N80作为主开关器件,能够提供高效的能量转换效率;在电池管理系统中,CS3N80用于电池充放电控制和保护电路,确保电池安全运行;在工业自动化设备中,CS3N80可作为负载开关或电机驱动电路的核心元件。
  此外,CS3N80还可用于服务器电源、通信设备电源、UPS不间断电源、LED照明驱动电源等高可靠性要求的应用场景。由于其优异的热性能和高电流能力,CS3N80也适用于需要长时间高负载运行的工业控制系统。

替代型号

SiR862DP, IRF1324S-7PPBF, FDS8878

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