CS3N80 时间：2025/8/1 23:11:59 阅读：22

CS3N80是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，能够在高温环境下稳定工作。CS3N80广泛应用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关以及工业控制设备中。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压(VDS)：80V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：160A
　　导通电阻(RDS(on))：最大4.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散(PD)：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

CS3N80具有极低的导通电阻，这使得在大电流工作条件下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET采用了先进的封装技术，具备优异的热性能，能够快速散热，确保在高负载条件下的稳定运行。
　　该器件的栅极设计优化了开关特性，减少了开关损耗，并提高了抗干扰能力。CS3N80还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发的高电压情况下保护电路不受损坏。
　　此外，CS3N80的封装形式（TO-263）适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和良好的焊接可靠性。该MOSFET符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的设计需求。

应用

CS3N80广泛应用于各种电源管理和功率控制领域。例如，在DC-DC转换器中，CS3N80作为主开关器件，能够提供高效的能量转换效率；在电池管理系统中，CS3N80用于电池充放电控制和保护电路，确保电池安全运行；在工业自动化设备中，CS3N80可作为负载开关或电机驱动电路的核心元件。
　　此外，CS3N80还可用于服务器电源、通信设备电源、UPS不间断电源、LED照明驱动电源等高可靠性要求的应用场景。由于其优异的热性能和高电流能力，CS3N80也适用于需要长时间高负载运行的工业控制系统。