时间：2025/5/15 16:22:36
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PVDZ172N是一款基于硅材料的高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N通道增强型器件。该芯片主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等领域，其设计旨在提供高效率和低损耗的电力传输解决方案。
这款MOSFET具有较低的导通电阻和较高的雪崩击穿能力，适合在高频开关条件下使用，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：1.6A
导通电阻：3.5Ω
栅极电荷：22nC
输入电容：480pF
总功耗：19W
工作温度范围：-55℃至+150℃
PVDZ172N具有以下显著特点：
1. 高耐压能力，额定漏源电压高达700V，适用于高电压应用场景。
2. 低导通电阻，有助于降低传导损耗并提升系统效率。
3. 快速开关速度，减少开关损耗，支持高频操作。
4. 优异的雪崩击穿能力和抗静电能力，确保器件在异常情况下的可靠性。
5. 小型化封装，便于集成到紧凑型设计中。
PVDZ172N广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源(SMPS)，如适配器和充电器。
2. DC-DC转换器，用于汽车电子和工业控制设备。
3. 电机驱动电路，特别是小功率直流电机。
4. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中的功率管理模块。
5. 各类需要高压开关功能的电子设备。
PVDZ173N, IRF740, STP70NF7
