容量：64Mbit
　　组织结构：8M x 8 / 4M x 16
　　电压：2.7V - 3.6V
　　访问时间：60ns
　　封装：TSOP
　　温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取电流（典型值）：10mA
　　待机电流（典型值）：10uA
　　

LH28F640BFHE-PBTL60 NOR Flash芯片具备多项优良特性。首先，它具有高性能的读取速度，访问时间仅为60ns，能够满足嵌入式系统中对快速启动和实时数据访问的需求。其次，该芯片支持低功耗操作，在待机模式下的电流消耗极低，适合用于电池供电设备和对功耗敏感的应用。
　　此外，LH28F640BFHE-PBTL60 支持多种读写操作模式，并可通过控制引脚选择总线宽度（8位或16位），从而提高系统的灵活性和兼容性。其宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C）也使得该芯片适用于工业级和车载电子设备。

LH28F640BFHE-PBTL60 适用于多种嵌入式系统和电子设备，包括但不限于工业控制设备、智能卡终端、网络通信设备、车载信息娱乐系统、消费类电子产品（如数码相机、智能家电）等。由于其高速读取能力和低功耗特性，特别适合用于需要频繁读取操作或快速启动的应用场景，例如固件存储、引导代码存储、图形数据存储等。
　　在汽车电子领域，该芯片可作为车载导航系统、车载诊断系统和车载娱乐系统的程序存储器使用。在工业控制领域，它可用于存储配置数据、控制算法和用户界面资源。此外，在物联网设备中，LH28F640BFHE-PBTL60 也可作为代码和数据存储的核心元件。

LH28F640BFHE-PBTL45, LH28F640BFHE-BPTE60, LH28F640BFHE-PBL60