容量：4Mbit（512KB）
　　组织结构：512K x 8 位
　　电源电压：3.3V 或 5V 可选
　　访问时间：最高可达 55ns
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行接口
　　擦除和编程电压：内部电荷泵提供
　　擦除/写入周期：100,000 次
　　数据保持时间：至少 10 年
　　

LH28F400BVE-TLZ3 是一款高性能 NOR 型闪存芯片，具有快速的读取速度和可靠的非易失性存储能力。该芯片采用 CMOS 工艺制造，具有低功耗的特点，特别适合嵌入式系统中的代码存储和数据存储。LH28F400BVE-TLZ3 支持两种电源电压模式（3.3V 或 5V），提供了更大的设计灵活性，能够适应不同系统的电源管理需求。其并行接口支持高速数据访问，适用于需要实时执行代码（XIP, eXecute In Place）的应用。此外，该芯片具备良好的耐久性，支持高达 100,000 次的擦写周期，数据保存时间可达 10 年以上，确保了长期使用的稳定性。工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，符合工业级和汽车级应用的要求。LH28F400BVE-TLZ3 采用 TSOP 封装，便于在空间受限的 PCB 设计中使用，同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力。芯片内置的电荷泵电路减少了对外部高压电源的需求，简化了系统设计并降低了整体成本。该芯片还支持多种软件算法，如自动擦除、自动编程和锁定块保护功能，增强了系统的安全性和灵活性。

LH28F400BVE-TLZ3 主要应用于需要非易失性存储器的嵌入式系统中。其主要用途包括汽车电子控制单元（ECU）、车载娱乐系统、车身控制模块（BCM）等汽车领域应用。在工业自动化和控制系统中，该芯片可用于存储固件、校准数据和关键的系统参数。此外，在通信设备中，如路由器、交换机和基站模块，LH28F400BVE-TLZ3 可用于存储启动代码和配置信息。消费类电子产品方面，如智能家电、数码相机和便携式设备，该芯片可用于代码存储和用户设置保存。由于其宽温工作范围和高可靠性，也适用于军工和航空航天领域的关键系统。

AM29LV400BBTI-55RE1, MX29LV400CTB-55G, S29AL004D70TFI020, SST39VF400A-55-4C-EK