时间：2025/4/3 9:53:51
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TF80N03B是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等功率电子领域，能够提供高效的功率转换和稳定的性能表现。
这款MOSFET具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合需要高效能量传输和快速响应的应用场景。
最大漏源电压：30V
最大漏极电流：80A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：19nC
总功耗：76W
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可降低传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用，减少开关损耗。
3. 较小的栅极电荷Qg，简化驱动设计并降低驱动功耗。
4. 具备出色的热稳定性，能够在高温环境下长期运行。
5. TO-252封装形式，节省PCB空间且易于安装。
6. 支持高电流输出，适用于大功率负载驱动场合。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中作为功率级驱动器件。
3. DC-DC转换器中的开关元件。
4. 各种负载开关和保护电路中的功率开关。
5. LED驱动器中的电流调节和控制元件。
6. 工业控制设备中的功率管理模块。
IRFZ44N
STP80NF03L
FDP8870
IXTH80N03T2
