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LH28F320S3TD-L10 发布时间 时间:2025/8/28 2:49:17 查看 阅读:12

LH28F320S3TD-L10 是 Intel(现为 Micron)推出的一款并行NOR闪存芯片,属于LH28F系列。该芯片主要面向嵌入式系统应用,具备非易失性存储特性,适用于代码存储、固件存储等需要高可靠性和长期数据保留的场合。该型号的存储容量为32Mbit(4MB),采用56引脚TSOP封装,支持低功耗操作和高速数据访问。

参数

容量:32Mbit (4MB)
  组织结构:1M x 32位
  电压范围:2.7V - 3.6V
  访问时间:10ns
  封装形式:56-TSOP
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  接口类型:并行(地址/数据复用)
  编程/擦除电压:内部电荷泵生成
  编程方式:页编程
  擦除方式:块擦除
  

特性

LH28F320S3TD-L10 是一款高性能、低功耗的并行NOR闪存芯片,其核心特性包括快速的访问时间和较低的功耗设计,适用于各种嵌入式系统。该芯片采用先进的闪存技术,能够在宽电压范围内稳定工作(2.7V至3.6V),增强了其在不同电源条件下的适应能力。此外,该芯片支持页编程和块擦除功能,提高了编程效率并减少了擦写时间。其并行接口允许高速数据传输,适用于需要快速代码执行的应用场景,如网络设备、工业控制和通信模块。芯片内置错误检测和纠错机制,确保了数据的完整性与可靠性。LH28F320S3TD-L10 还具备优异的耐用性,支持高达10万次的擦写周期,并可在极端温度条件下稳定运行(-40°C至+85°C),适合工业级应用环境。
  该器件支持多种工作模式,包括读取、页编程、块擦除以及待机模式。在待机模式下,电流消耗极低,适合电池供电设备或对功耗敏感的应用。此外,LH28F320S3TD-L10 提供了硬件写保护功能,可以防止意外的数据写入或擦除,增强系统的安全性。由于其广泛的行业应用和良好的兼容性,该芯片常用于替代其他并行NOR闪存器件,是嵌入式系统中可靠存储解决方案的重要组成部分。

应用

LH28F320S3TD-L10 主要应用于需要非易失性代码存储和高可靠性的嵌入式系统,如路由器、交换机、工业控制器、通信模块、医疗设备、车载导航系统以及消费类电子产品中的固件存储。由于其低功耗和高速访问特性,也适合用于手持设备和电池供电系统。

替代型号

LH28F320J3T-90, LH28F320S3TH-L10, AM29LV320DB, S29GL032A

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