时间：2025/8/28 2:49:17
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LH28F320S3TD-L10 是 Intel（现为 Micron）推出的一款并行NOR闪存芯片，属于LH28F系列。该芯片主要面向嵌入式系统应用，具备非易失性存储特性，适用于代码存储、固件存储等需要高可靠性和长期数据保留的场合。该型号的存储容量为32Mbit（4MB），采用56引脚TSOP封装，支持低功耗操作和高速数据访问。
容量：32Mbit (4MB)
组织结构：1M x 32位
电压范围：2.7V - 3.6V
访问时间：10ns
封装形式：56-TSOP
工作温度：-40°C ~ +85°C
接口类型：并行（地址/数据复用）
编程/擦除电压：内部电荷泵生成
编程方式：页编程
擦除方式：块擦除
LH28F320S3TD-L10 是一款高性能、低功耗的并行NOR闪存芯片，其核心特性包括快速的访问时间和较低的功耗设计，适用于各种嵌入式系统。该芯片采用先进的闪存技术，能够在宽电压范围内稳定工作（2.7V至3.6V），增强了其在不同电源条件下的适应能力。此外，该芯片支持页编程和块擦除功能，提高了编程效率并减少了擦写时间。其并行接口允许高速数据传输，适用于需要快速代码执行的应用场景，如网络设备、工业控制和通信模块。芯片内置错误检测和纠错机制，确保了数据的完整性与可靠性。LH28F320S3TD-L10 还具备优异的耐用性，支持高达10万次的擦写周期，并可在极端温度条件下稳定运行（-40°C至+85°C），适合工业级应用环境。
该器件支持多种工作模式，包括读取、页编程、块擦除以及待机模式。在待机模式下，电流消耗极低，适合电池供电设备或对功耗敏感的应用。此外，LH28F320S3TD-L10 提供了硬件写保护功能，可以防止意外的数据写入或擦除，增强系统的安全性。由于其广泛的行业应用和良好的兼容性，该芯片常用于替代其他并行NOR闪存器件，是嵌入式系统中可靠存储解决方案的重要组成部分。
LH28F320S3TD-L10 主要应用于需要非易失性代码存储和高可靠性的嵌入式系统，如路由器、交换机、工业控制器、通信模块、医疗设备、车载导航系统以及消费类电子产品中的固件存储。由于其低功耗和高速访问特性，也适合用于手持设备和电池供电系统。
LH28F320J3T-90, LH28F320S3TH-L10, AM29LV320DB, S29GL032A
