存储容量：32Mbit
　　组织结构：2M x16
　　电源电压：2.7V - 3.6V
　　访问时间：55ns、70ns、90ns可选
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

LH28F320S3NS-L14是一款高性能的并行闪存芯片，具有优异的读写性能和可靠性。该芯片采用先进的CMOS技术制造，具备低功耗的特点，非常适合电池供电设备和高功耗敏感的应用场景。
　　该闪存芯片支持高速访问，最快访问时间可达55ns，适用于需要快速数据读取的应用。LH28F320S3NS-L14的存储结构为2M x16，支持16位数据宽度，能够提供较大的数据吞吐能力。
　　该芯片支持多种封装形式，其中TSOP封装适合高密度PCB布局，具有良好的热稳定性和机械可靠性。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种恶劣的工业环境。
　　此外，LH28F320S3NS-L14具有优异的耐久性和数据保持能力，擦写次数可达10万次以上，数据保存时间超过10年，能够满足高可靠性应用的需求。芯片内部集成了多种保护机制，包括硬件写保护和软件写保护，有效防止数据被意外修改或擦除。

LH28F320S3NS-L14广泛应用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备以及消费类电子产品中。例如，在嵌入式系统中，该芯片可用于存储程序代码、固件或关键数据；在工业控制设备中，可用于存储配置信息和运行日志；在通信设备中，可用于存储协议栈和配置文件等。

LH28F320S3TNS-L14 LH28F320J3TNS-L14 LH28F640S3NS-L14 LH28F320S3NH-L14