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DO3340P-154MLD 发布时间 时间:2025/12/27 22:39:51 查看 阅读:17

DO3340P-154MLD是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装(SMD)瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),主要用于电路中的静电放电(ESD)保护和瞬态过电压抑制。该器件采用紧凑的PowerPAD?封装(也称为SMA封装带散热焊盘),具有低漏电流、快速响应时间和高浪涌吸收能力等特点,适用于对空间要求严格且需要高可靠性的电子设备。DO3340P-154MLD的设计目标是在受到瞬态高压事件(如雷击感应、开关噪声或人体静电)时迅速钳位电压,防止下游敏感元件受损。
  该TVS二极管为单向型,意味着其工作特性类似于一个整流二极管,在正常工作电压下呈现高阻抗状态,当反向电压超过击穿电压后迅速转入低阻态,将瞬态能量导入地线以保护负载。其标称功率可达400W(峰值脉冲功率),能够承受IEC 61000-4-2 Level 4级别的ESD冲击(±8kV接触放电),因此广泛应用于通信接口、电源线路和便携式消费类电子产品中。

参数

类型:单向TVS二极管
  封装形式:SMA(DO-214AC)带PowerPAD
  反向截止电压(VRWM):15.4V
  击穿电压(VBR):最小17.1V,典型17.9V,最大18.7V
  钳位电压(VC):24.4V @ IPP = 16.4A
  峰值脉冲电流(IPP):16.4A
  峰值脉冲功率(PPPM):400W
  漏电流(IR):最大1μA @ VRWM
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  引脚数量:2
  极性:单向

特性

DO3340P-154MLD具备出色的瞬态抑制性能,能够在纳秒级时间内响应高达400W的瞬态脉冲功率,有效保护后级电路免受ESD、EFT及雷击感应等瞬态干扰的影响。其核心优势之一是采用了增强型硅结结构设计,确保在高能量脉冲下仍能保持稳定的钳位电压表现,同时降低热失效风险。该器件的低动态电阻特性使其在导通状态下能够更高效地分流瞬态电流,从而减少电压过冲现象,提高系统可靠性。
  此外,DO3340P-154MLD采用SMA PowerPAD封装,底部带有金属散热焊盘,可通过PCB上的热过孔实现良好的热传导,显著提升散热效率,延长器件寿命。这种封装方式不仅有助于改善热管理,还增强了机械连接强度,适合自动化贴片生产流程。器件符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,满足现代绿色电子产品的制造要求。
  该TVS二极管具有极低的漏电流(≤1μA),在正常运行期间几乎不消耗额外功耗,也不会对原电路的工作状态造成影响,特别适用于电池供电或待机功耗敏感的应用场景。其高度一致的电气参数和严格的批次控制保证了产品在大规模生产中的稳定性和可重复性。Vishay作为全球领先的分立半导体制造商,为该系列器件提供了完整的质量保障体系和技术支持文档,包括SPICE模型、热仿真数据和应用指南,便于工程师进行电路设计与优化。

应用

DO3340P-154MLD常用于各类需要中等电压等级过压保护的电子系统中,尤其适用于直流电源输入端口的瞬态防护,例如工业控制设备、电信基础设施、家用电器和汽车电子模块。它广泛部署于USB接口、RS-232/RS-485通信线路、DC-DC转换器输入端以及传感器信号链前端,用以抵御来自外部环境或内部开关操作引起的电压尖峰。
  在便携式设备如智能手机、平板电脑和移动电源中,该器件可有效防范用户操作过程中产生的静电放电(ESD)事件,保护MCU、ASIC和显示驱动IC等核心芯片。由于其额定反向截止电压为15.4V,特别适合工作电压在12V左右的系统使用,例如车载电子系统的12V电源轨保护。此外,在智能仪表、安防监控设备和物联网终端中,该TVS二极管也被集成在PCB边缘连接器附近,提供第一道防线以应对插拔过程中的瞬态扰动。
  得益于其小尺寸和表面贴装特性,DO3340P-154MLD非常适合高密度布局的现代PCB设计,可在有限空间内实现高性能保护功能。其坚固的结构设计也使其适用于存在振动或温湿度变化较大的工业现场环境。配合适当的PCB布线策略(如短路径接地、大面积铺铜),可以进一步发挥其保护效能,构建稳健的电磁兼容(EMC)解决方案。

替代型号

SMAJ16A-E3/52T
  P6KE16CA
  TPSMAJ16A
  SMBJ16A

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