时间：2025/9/12 9:50:04
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KIA6278S是一款由KEC公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用高密度工艺制造，具备较低的导通电阻和高电流承载能力，适用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：100A（在TC=25℃时）
导通电阻(RDS(on))：最大4.5mΩ（典型值3.2mΩ）
最大功耗(PD)：200W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
KIA6278S具有低导通电阻特性，使其在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。该MOSFET采用了先进的沟槽式技术，优化了导通和开关性能，同时具备良好的热稳定性。器件的封装形式为TO-263，提供良好的散热性能，适合高功率密度设计。
KIA6278S还具备较高的耐用性和可靠性，能够在严苛的工作环境下稳定运行。其高电流容量和低RDS(on)特性使其成为大电流负载开关和高效DC-DC转换器的理想选择。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，增强了系统的稳定性与安全性。
KIA6278S常用于各类电源管理及功率控制电路中，例如开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关、热插拔电源控制以及工业自动化设备中的功率控制部分。
SiR100N03, AON6278, FDS6680, IPW65R045C6
