SC8863-280CSKTR是一款高性能的功率MOSFET,属于沟槽型MOSFET系列。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能电源转换应用。
其封装形式为SOT-23,体积小巧,非常适合空间受限的设计场景。
型号:SC8863-280CSKTR
类型:N沟道功率MOSFET
VDS(漏源电压):30V
RDS(on)(导通电阻):45mΩ
IDS(连续漏极电流):2.8A
栅极电荷:1.7nC
工作温度范围:-55℃ to +150℃
封装:SOT-23
SC8863-280CSKTR的主要特点是低导通电阻和快速开关性能,这使得它在降低功耗和提高系统效率方面表现优异。
此外,器件的低栅极电荷使其非常适合高频应用。
由于采用了SOT-23的小型封装,它能够节省电路板空间,同时保持良好的散热性能。
器件还具备较高的抗雪崩能力,确保在异常条件下依然能够稳定工作。
该器件广泛应用于消费类电子、通信设备和工业控制领域。
典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和LED驱动等。
由于其高效的开关特性和紧凑的封装尺寸,特别适合移动设备、笔记本电脑适配器和其他便携式电子产品的设计。
AO3400A
IRLML6401
FDMC880