LH28F320BJHE-PBTL90 是一款由Renesas(瑞萨电子)公司生产的闪存芯片(Flash Memory),属于其高性能、低功耗的Flash存储器系列产品。该器件采用先进的非易失性存储器技术,能够在断电后保持数据完整性,适用于需要频繁更新和长期数据存储的应用场景。这款芯片封装为48-TSOP(薄型小尺寸封装),工作温度范围为工业级标准(-40°C至+85°C),非常适合在恶劣环境中使用。
类型:Flash Memory
容量:32Mbit(兆位)
组织结构:16位数据总线(x16)
供电电压:2.7V至3.6V
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:48-TSOP
封装尺寸:具体尺寸需查阅数据手册
读取访问时间:最大90ns
写入/擦除电压:内部电荷泵自动调节
擦除块大小:支持多个可配置块
编程时间:典型值为200μs/word
擦除时间:典型值为1s/block
数据保留时间:超过10年
擦写次数:100,000次以上
LH28F320BJHE-PBTL90是一款高性能的并行Flash存储器,具备快速读取访问时间和稳定的写入与擦除性能。其主要特性包括:
1. **高容量与灵活组织结构**:该芯片提供32Mbit的存储容量,并采用16位数据宽度的设计,适合需要大容量存储的应用。同时,其多块擦除架构允许用户根据需求灵活地管理存储区域,提高擦写效率。
2. **宽电压范围与低功耗设计**:LH28F320BJHE-PBTL90可在2.7V至3.6V的电压范围内正常工作,适用于多种电源条件。此外,芯片支持低功耗模式,有助于延长便携式设备的电池寿命。
3. **高速访问与编程能力**:该芯片的最大读取访问时间为90ns,能够满足实时数据读取的需求。编程和擦除操作也具备较快的速度,编程一个字(word)仅需约200μs,而擦除一个块仅需约1秒。
4. **高可靠性和耐用性**:该Flash存储器的数据保留时间超过10年,并支持超过100,000次的擦写循环,确保了长期稳定运行。其工业级工作温度范围(-40°C至+85°C)也使其适用于各种严苛环境。
5. **兼容性与易集成性**:该芯片采用标准的并行接口设计,兼容多种处理器和控制器,便于集成到嵌入式系统中。此外,其TSOP封装形式有助于节省PCB空间,提高系统整体的紧凑性。
LH28F320BJHE-PBTL90广泛应用于需要大容量、高性能非易失性存储的嵌入式系统和工业设备中,典型应用包括:
1. **嵌入式控制系统**:如工业自动化控制、机器人控制系统等,用于存储程序代码和关键数据。
2. **通信设备**:用于路由器、交换机等网络设备中,存储固件和配置信息。
3. **消费电子产品**:如智能家电、数码相机、多媒体播放器等,用于存储操作系统和用户数据。
4. **汽车电子系统**:包括车载导航系统、车载娱乐系统等,适用于对可靠性和温度适应性要求较高的汽车环境。
5. **测试与测量仪器**:用于数据采集设备、示波器、分析仪等仪器中,用于存储校准数据和程序代码。
LH28F320BFHE-PBTL90, LH28F320J3HE-PBTL90, AM29LV320DB-90EC, S29AL032D70TFIR4