时间：2025/8/28 8:06:02
阅读：5
LH28F160S3HNS-L10 是英特尔（Intel）生产的一款并行NOR闪存芯片，属于Intel StrataFlash系列的一部分。这款芯片被广泛应用于需要非易失性存储解决方案的嵌入式系统中，例如工业控制、网络设备和通信设备。该器件具有16位数据总线宽度，支持高性能的随机读取和写入操作。LH28F160S3HNS-L10的封装形式为TSOP（薄型小外形封装），适合空间受限的应用场景。
容量：16MB
组织结构：1M x16
电压范围：2.7V - 3.6V
访问时间：100ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：并行（16位）
擦除/编程电压：内部电荷泵
擦除块大小：多个可变块大小
读取/写入电流：典型值10mA / 20mA
待机电流：最大10μA
LH28F160S3HNS-L10 NOR闪存芯片具备多项先进的特性，使其在嵌入式应用中表现优异。
首先，它支持高性能的读取操作，具有100ns的访问时间，能够满足高速数据访问的需求。这种低延迟的特性对于实时系统和代码执行尤为重要。
其次，该芯片采用1M x16的组织结构，总容量为16MB，适用于存储代码和数据，并支持在系统中直接执行代码（XIP, Execute In Place），从而减少对外部RAM的需求，降低系统成本。
此外，LH28F160S3HNS-L10支持多种操作模式，包括读取、页写入、块擦除、芯片擦除等。其内置的电荷泵提供内部编程和擦除所需的高压，使得器件只需单一电源供电（2.7V至3.6V），简化了电源设计。
该器件还具备多个可变大小的擦除块，允许用户对特定区域进行独立擦除和编程，提高了存储管理的灵活性，适用于需要频繁更新部分数据的应用场景。
为了提高可靠性和延长使用寿命，LH28F160S3HNS-L10支持错误检测和纠错功能，并具有高耐用性，典型的编程/擦除周期可达10万次以上。
最后，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种工业环境和高温应用条件。
LH28F160S3HNS-L10因其高性能和可靠性，广泛应用于多种嵌入式系统和工业设备中。例如，它常用于工业控制设备，如PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）和测量仪器，用于存储系统固件、配置数据和用户程序。
在网络设备中，该芯片用于路由器、交换机和无线接入点，作为启动代码和操作系统镜像的存储介质，确保设备在断电后仍能保持配置信息。
在通信设备方面，LH28F160S3HNS-L10适用于基站控制器、调制解调器和VoIP网关，用于存储关键的运行代码和参数设置。
此外，该芯片也广泛应用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、导航设备和远程信息处理单元，满足汽车工业对存储器件高可靠性和宽温范围的要求。
由于其低功耗和小封装特性，LH28F160S3HNS-L10也适用于便携式设备，如手持终端、智能仪表和医疗设备，为这些设备提供稳定的数据存储解决方案。
Intel LH28F320S3HNS-L10, Intel LH28F160S5HNS-L10, Spansion S29GL128P, AMD Am29LV160DB
