PST9145NR 是一款 N 沣道晶体管(NPN),专为高频开关和射频应用而设计。该晶体管采用先进的硅锗(SiGe)工艺制造,具有出色的增益、低噪声特性和高频率响应,适用于无线通信、射频放大器、混频器以及其他高频电路。
其封装形式通常为 SOT-23 小型表面贴装封装,便于在紧凑型设计中使用,并具备良好的散热性能。
集电极-发射极电压:40V
集电极电流:200mA
直流电流增益(hFE):100
最大工作频率(fT):8GHz
噪声系数:1dB
功耗:360mW
封装类型:SOT-23
PST9145NR 具有以下主要特性:
1. 高截止频率(fT),使其非常适合高频和射频应用。
2. 低噪声系数,确保在射频信号处理中保持高信噪比。
3. 良好的线性度和增益稳定性,适用于高性能放大器设计。
4. 小型 SOT-23 封装,节省空间且易于集成到现代 PCB 设计中。
5. 可靠的电气性能和温度范围适应能力(-55°C 至 +150°C)。
这些特性使得 PST9145NR 成为射频模块、无线通信设备以及工业控制等领域的理想选择。
PST9145NR 广泛应用于以下领域:
1. 射频放大器和混频器电路。
2. 无线通信系统中的信号增强和处理。
3. 工业自动化设备中的高频信号传输。
4. GPS 和导航系统的前端模块。
5. 医疗设备中的信号调理和放大。
由于其卓越的高频性能和低噪声特性,这款晶体管特别适合需要高精度和稳定性的应用环境。
PST9145BR, BFR914