H5TQ1G43TFR-H9C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能的存储器件。这款芯片的具体规格表明它是一款1Gbit(128MB)的DRAM,采用了x4的组织方式,支持快速数据传输,适用于需要大容量内存和高速处理的应用场景。
存储容量:1Gbit
组织方式:x4
接口类型:DRAM
工作电压:1.8V
封装类型:FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)
时钟频率:最大支持166MHz
数据速率:333MHz(DDR)
工作温度范围:0°C 至 +85°C
H5TQ1G43TFR-H9C 是一款高性能的DRAM芯片,采用先进的CMOS技术制造,具有低功耗和高可靠性的特点。其x4的组织方式使得数据带宽得到优化,适用于需要高速数据传输的设备。该芯片支持DDR(双倍数据速率)模式,能够在时钟的上升沿和下降沿同时传输数据,从而有效提高数据吞吐量。
此外,H5TQ1G43TFR-H9C 采用了FBGA封装,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,适合在空间受限的嵌入式系统中使用。其工作电压为1.8V,符合低功耗设计的要求,适用于便携式设备和高密度存储系统。
该芯片还具备自动刷新和自刷新功能,能够在不依赖外部控制器的情况下保持数据完整性,减少系统功耗并提高稳定性。
H5TQ1G43TFR-H9C 适用于多种需要高性能内存的电子设备和系统,包括嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、通信设备、消费类电子产品(如智能电视、机顶盒)等。由于其高容量和高速特性,该芯片也常用于图像处理、视频流传输、数据缓存等对内存带宽要求较高的应用场景。
H5TQ1G43AFR-H9C、H5TQ1G43BFR-H9C、H5TQ2G43BFR-H9C