LH21256Z-12 时间：2025/8/28 4:36:55 阅读：21

LH21256Z-12是一款由Rochester Electronics制造的高性能静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为256K位（32K x 8），采用高速CMOS工艺制造。该芯片具有低功耗、高速存取和宽工作温度范围等特点，适用于工业和商业级应用。LH21256Z-12广泛用于需要高速数据存储的电子系统，如网络设备、工业控制器、通信设备和嵌入式系统等。

参数

容量：256K位（32K x 8）
　　组织方式：32K地址 x 8位数据
　　存取时间：12ns
　　工作电压：5V（典型值）
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装形式：52引脚TSOP（薄型小外形封装）
　　封装尺寸：28mm x 20mm
　　最大工作频率：约83MHz（基于存取时间）
　　功耗（典型值）：工作模式下约150mA，待机模式下小于10mA
　　接口类型：并行异步接口
　　数据输出类型：三态输出
　　引脚兼容性：与多种SRAM兼容

特性

LH21256Z-12 SRAM芯片具备多项高性能特性，适用于对速度和可靠性要求较高的应用场景。其高速存取时间为12ns，确保了数据的快速读写，适合高带宽需求的设计。芯片采用低功耗CMOS工艺，在保证性能的同时有效降低能耗，适用于电池供电或对热管理要求严格的应用。此外，其宽工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种工业环境，包括高温或低温运行条件。该芯片封装形式为52引脚TSOP，体积小且易于集成到高密度电路板中，适合现代电子设备的紧凑设计。LH21256Z-12还支持三态输出功能，允许在多芯片共享总线系统中灵活使用，避免信号冲突，提高系统的整体稳定性。该芯片的并行异步接口设计使其能够兼容多种微处理器和控制器，适用于广泛的嵌入式系统应用。

应用

LH21256Z-12适用于多种需要高速存储的系统，包括网络路由器、工业控制系统、通信设备、测试仪器、嵌入式处理器系统、视频控制器、医疗设备以及工业自动化设备等。其高速存取和低功耗特性使其在数据缓冲、高速缓存、图形处理和实时控制等场景中表现出色。例如，在网络设备中可用于存储临时数据包信息，在嵌入式系统中可用作程序存储器或高速缓存。此外，该芯片也适用于航空航天、汽车电子等对可靠性要求较高的行业应用。