电容值：8200pF (8.2nF)
　　额定电压：35V DC
　　电容公差：±20%
　　温度特性：X7R (±15% 变化范围，-55°C 至 +125°C)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　长度：3.2mm
　　宽度：2.5mm
　　高度：最大1.6mm
　　介质材料：钡钛酸盐基陶瓷
　　直流耐压：最高35V
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 R × C ≥ 500Ω·F（取较大值）
　　等效串联电阻（ESR）：典型值低于100mΩ（频率依赖）
　　等效串联电感（ESL）：典型值约0.4nH
　　谐振频率：约50MHz（根据安装条件略有变化）
　　老化率：≤2.5% / decade hour（X7R类材料典型值）
　　端子电极：镍阻挡层+锡镀层，兼容无铅焊接
　　包装形式：卷带编带，LZ50可能表示每卷5000片或特定编带规格

LGY1V822MELZ50多层陶瓷电容器具备出色的温度稳定性和宽泛的工作温度范围，其X7R介电材料确保在-55°C至+125°C的温度区间内电容值的变化不超过±15%，这使其能够在恶劣环境条件下保持稳定的电气性能。该电容器采用高可靠性的叠层结构，通过精密的丝网印刷技术和高温共烧工艺制造，每一层陶瓷介质与内部金属电极交替堆叠，形成多个并联的微型电容器单元，从而实现高电容密度的同时维持较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL）。这种低损耗特性使其非常适合用于去耦、旁路和滤波电路，特别是在开关电源输出端或数字IC供电引脚附近，能有效抑制电压波动和高频噪声。
　　该器件的1210（3225）封装在提供相对较大电容量的同时仍保持较小的占板面积，适合高密度PCB布局需求。其端电极为三层结构设计，包含铜内电极、镍阻挡层和外部锡镀层，不仅增强了抗热冲击能力，还保证了良好的可焊性与长期连接可靠性。由于采用无铅兼容材料体系，LGY1V822MELZ50满足RoHS指令要求，并可通过JEDEC J-STD-020规定的无铅回流焊温度曲线（峰值260°C），适用于自动化表面贴装生产线。
　　此外，该电容器具有优异的机械强度和抗裂性能，松下在其制造过程中采用了应力缓解设计和强化陶瓷边缘技术，降低了因PCB弯曲或热膨胀差异导致的开裂风险。在高频应用中，其自谐振频率可达数十兆赫兹量级，确保在常用信号频段内呈现容性阻抗行为。同时，产品的批次一致性高，老化速率低，长期使用过程中电性能衰减缓慢，提升了终端设备的使用寿命和稳定性。

LGY1V822MELZ50因其优良的电气特性和稳定的温度性能，被广泛应用于多种电子系统中。在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器的输入/输出滤波电路，作为去耦电容来平滑电压纹波并吸收瞬态电流尖峰，从而保障电源稳定供给给敏感的模拟或数字集成电路。在通信设备中，该电容器可用于射频模块的偏置电路旁路、中频滤波网络以及阻抗匹配电路中，利用其低ESR和良好高频响应特性提升信号完整性。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，LGY1V822MELZ50凭借其小型化封装和高可靠性，常被部署于处理器核心供电路径上，起到局部储能和噪声抑制的作用。此外，在工业控制装置、医疗电子设备和汽车电子模块中，该器件也发挥着重要作用，例如在电机驱动电路中用于抑制电磁干扰（EMI），或在传感器信号调理电路中作为耦合与滤波元件使用。
　　由于其工作温度范围宽达-55°C至+125°C，该电容器特别适合部署在高温环境下运行的设备中，如车载信息娱乐系统、引擎舱附近控制器或户外通信基站单元。在自动化测试设备（ATE）和测量仪器中，该电容还可用于构建精确的时间常数电路或作为积分元件的一部分。总之，LGY1V822MELZ50凭借其综合性能优势，成为现代高性能电子设计中不可或缺的基础元件之一。

[
　　 "GRM32ER7E822KA12L",
　　 "C3225X7R1V822K",
　　 "CL31A822KPICNE",
　　 "ECJ-FA3Y1V822M"
　　]