型号：LGUW6820MELZ
　　制造商：Littelfuse
　　封装类型：DFN-10 (microPak)
　　通道数：4
　　工作电压（VRWM）：6V
　　击穿电压（VBR）：最小 6.7V，典型 7V
　　最大箝位电压（VC）：13.5V @ IPP = 4A
　　峰值脉冲电流（IPP）：4A
　　响应时间：小于 1ns
　　电容值（Cj）：每线典型 0.3pF
　　ESD 耐受能力：±22kV（接触放电，IEC61000-4-2 Level 4）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　引脚数量：10
　　安装方式：表面贴装（SMD）

LGUW6820MELZ 的核心特性之一是其超低结电容设计，典型值仅为 0.3pF，这一特性使其非常适合用于现代高速数据传输接口的保护。在高频信号路径中，过高的寄生电容会导致信号衰减、反射和失真，从而影响通信性能。而 LGUW6820MELZ 凭借极低的电容值，能够在不显著影响信号完整性的情况下实现高效的瞬态电压抑制。这种性能对于支持 USB 3.0（5Gbps）、HDMI 2.0（高达 18Gbps）以及 MIPI 接口等高速协议的设备至关重要。此外，该器件具备极快的响应时间（小于 1 纳秒），可在 ESD 事件发生的瞬间迅速导通，将瞬态能量泄放到地，避免敏感的 CMOS 输入级受损。
　　另一个关键特性是其对差分和共模干扰的同时抑制能力。LGUW6820MELZ 内部集成了优化的二极管网络结构，可针对差分信号对提供对称的保护路径，有效维持差分阻抗平衡，减少信号偏移。这在高速串行链路中尤为重要，因为任何不对称的钳位行为都可能引入共模噪声或导致眼图闭合。此外，该器件满足 IEC61000-4-2 Level 4 标准，能够承受 ±22kV 接触放电和 ±30kV 空气放电的极端 ESD 冲击，远高于一般消费类产品的实际使用需求，提供了充足的防护裕量。
　　该器件还具备良好的热稳定性和长期可靠性。采用先进的硅芯片工艺和可靠的封装技术，确保在 -40°C 到 +125°C 的宽温范围内保持稳定的电气性能。其小型 DFN-10 封装不仅节省 PCB 空间，而且具有优异的散热性能，有助于在多次瞬态事件后快速恢复。此外，无铅、符合 RoHS 指令的设计也使其适用于绿色环保型电子产品制造。整体而言，LGUW6820MELZ 在高性能与小型化之间实现了良好平衡，是现代高密度电子系统中理想的 ESD 保护解决方案。

LGUW6820MELZ 主要应用于需要高等级 ESD 保护且信号速率较高的电子系统中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的高速接口保护，如 USB Type-C、USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort 和 MIPI D-PHY/C-PHY 接口。这些接口经常暴露在外部环境中，用户插拔连接器时极易引入静电放电，因此必须配备高效可靠的 TVS 器件进行前端防护。LGUW6820MELZ 的低电容和快速响应特性使其成为这些应用的理想选择。
　　在通信领域，该器件可用于保护以太网 PHY 接口、摄像头模块、显示屏驱动线路以及其他高速差分信号线。工业自动化设备中的人机界面（HMI）、触摸屏控制器和传感器接口也可受益于其 robust 的瞬态抑制能力。此外，在汽车信息娱乐系统和车载摄像头系统中，尽管车规级版本更为常见，但类似功能的器件常用于非动力总成电子模块的 ESD 防护。
　　由于其多通道集成设计，LGUW6820MELZ 还适用于需要集中保护多个信号线的场合，例如主板上的排线接口、扩展槽或内部板间互连。相比分立式 TVS 解决方案，它能显著减少元件数量和布局面积，提高生产效率并降低整体成本。总之，凡是有高速信号传输且面临 ESD 威胁的应用场景，LGUW6820MELZ 都能提供可靠、高效的电路保护功能。

SP3012-06UTG
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