时间：2025/8/13 10:11:21
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HMSZ5226BT1 是一款由 Diodes Incorporated 生产的表面贴装硅齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和参考电压应用。该器件封装在 SOD-123 塑料封装中，具有较小的体积和良好的热稳定性能，适合在空间受限和高密度 PCB 设计中使用。HMSZ5226BT1 的齐纳电压额定值为 3.3V，典型测试电流为 20mA，适用于低电压调节系统。
类型：齐纳二极管
封装形式：SOD-123
齐纳电压（Vz）：3.3V（@ Izt = 20mA）
最大耗散功率：300mW
最大反向漏电流（IR）：100nA（@ VR = 1V）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
重量：约 0.038 克
HMSZ5226BT1 齐纳二极管具备出色的电气性能和热稳定性，能够在宽温度范围内保持稳定的参考电压。其 SOD-123 封装结构不仅节省空间，还便于自动化贴片工艺，提高生产效率。该器件的最大耗散功率为 300mW，能够承受一定范围内的功率波动，确保在不同工作条件下的稳定运行。
该齐纳二极管的动态阻抗较低，有助于在负载变化时维持稳定的输出电压，从而提高系统的整体精度。此外，HMSZ5226BT1 在额定测试电流（Izt = 20mA）下的电压容差为 ±5%，适用于需要较高精度的电压参考应用，如电源管理、电池充电器、电压检测电路以及模拟电路中的偏置电压设置。
由于其优异的温度系数和低反向漏电流特性，HMSZ5226BT1 可广泛应用于工业控制、消费电子、通信设备以及汽车电子等各类电子系统中，为电路提供稳定可靠的参考电压源。
HMSZ5226BT1 主要用于需要稳定参考电压的电子电路中，典型应用包括低压电源调节、电压检测电路、基准电压源、电池管理系统、信号调节电路、嵌入式控制系统以及模拟集成电路中的偏置电压生成。此外，它还可用于保护电路中，作为电压钳位元件，防止瞬态电压对敏感电子元件造成损坏。
MM5Z3V3ST1G, BZV55-C3V3, MMSZ5226B, 1N4728A
