时间：2025/8/15 1:06:01
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SVT20100UA是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高耐压、高电流能力的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的STripFET F7技术制造。该器件专为高效率电源转换应用而设计，例如在DC-DC转换器、服务器电源、电信电源系统以及工业电源设备中使用。SVT20100UA具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优异的热性能，使其能够在高频率和高负载条件下运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100V
最大连续漏极电流（ID）：20A
导通电阻（RDS(on)）：约6.5mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：38nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1620pF（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
SVT20100UA采用了STMicroelectronics先进的STripFET F7技术，这种技术显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了能效。该器件的低栅极电荷特性使其具有快速开关能力，适用于高频率开关应用，从而降低了开关损耗。
此外，SVT20100UA具备优异的热管理性能，其TO-220封装能够有效散热，确保在高负载条件下依然保持稳定运行。该MOSFET的高雪崩耐量和坚固的结构设计使其在恶劣工作环境下仍能保持可靠性能。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间工作，适用于多种驱动电路设计。同时，SVT20100UA的高电流承受能力和低热阻使其在大功率应用中表现出色。
SVT20100UA广泛应用于各种高功率密度和高效率的电源系统中，包括但不限于DC-DC降压转换器、服务器和电信电源供应器、工业电机驱动、电池管理系统以及高功率LED照明驱动电路。
在服务器和电信电源系统中，SVT20100UA常用于同步整流拓扑结构，以提高整体电源转换效率，并减少热损耗。在电动汽车充电器和太阳能逆变器中，该MOSFET可用于高频率开关电路，以实现紧凑的功率模块设计。
此外，SVT20100UA也可用于高性能电源管理单元（PMU）和电机控制应用中，提供稳定的高电流输出能力。
STP20NK100Z, IPW90R120C3, FDPF10N100DTU
