时间：2025/8/2 7:31:22
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DMN4800LSSL-13是一款由Diodes公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高效率和优良的热性能，适用于便携式设备、电池供电系统以及各类低电压功率控制电路。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：6A
导通电阻（Rds(on)）：22mΩ（典型值，Vgs=10V）
功耗（Pd）：2W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TSOT-23
DMN4800LSSL-13 MOSFET具有多项优异特性，使其在功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件在Vgs=10V时的Rds(on)典型值为22mΩ，这对于高电流应用非常关键。
其次，该MOSFET具备较高的电流承载能力，连续漏极电流可达6A，适用于中等功率的负载切换和电源控制任务。此外，DMN4800LSSL-13的栅极驱动电压范围宽，支持从4.5V至20V的Vgs，使其兼容多种驱动电路设计。
该器件的封装形式为TSOT-23，是一种小型表面贴装封装，具有良好的热管理和空间利用率，非常适合用于便携式电子产品和高密度PCB布局设计中。此外，其热阻（RθJA）为62.5°C/W，能够在有限的散热条件下保持稳定运行。
DMN4800LSSL-13还具备良好的耐用性和可靠性，适用于各种恶劣工作环境。其工作温度范围为-55°C至+150°C，能够适应宽温环境下的应用需求。
DMN4800LSSL-13 MOSFET广泛应用于多个领域，主要包括：电源管理系统、电池供电设备、负载开关、DC-DC转换器、电机驱动器、LED照明控制系统、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率控制模块。由于其低Rds(on)和高电流能力，它在需要高效能和低功耗的电路设计中表现尤为突出。
DMN4800LSS-13, DMN4800LSS-7, DMN4800LSSL-7, NDS351AN, AO3400
