UMG4NTR 时间：2025/12/25 12:48:34 阅读：19

UMG4NTR是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用超小型封装设计，适用于便携式电子设备和高密度电路板布局。该器件主要用于开关应用，在低电压控制环境下表现出色，适合电池供电系统中的负载切换、电源管理以及信号路由功能。UMG4NTR的封装形式为XSON6L（也称为SSON6或XSON-6），尺寸仅为1.0mm × 1.0mm × 0.55mm，具有极高的空间利用率，非常适合对体积要求极为严格的消费类电子产品，如智能手机、可穿戴设备、TWS耳机、IoT传感器模块等。
　　作为一款先进的功率MOSFET，UMG4NTR在导通电阻与栅极电荷之间实现了良好的平衡，能够在保持较低功耗的同时提供高效的电流切换能力。其设计优化了热性能和电气性能，确保在高频操作下的稳定性和可靠性。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）特性，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。由于采用了先进的沟槽式MOS工艺，UMG4NTR具备优异的开关速度和抗噪声干扰能力，广泛应用于DC-DC转换器、LED驱动电路、电机控制以及其他需要紧凑型高性能开关元件的场合。

参数

型号：UMG4NTR
　　极性：N-Channel
　　漏源电压（Vds）：20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：3.5A
　　脉冲漏极电流（Idm）：8A
　　导通电阻 Rds(on) @ Vgs=1.8V：95mΩ
　　导通电阻 Rds(on) @ Vgs=2.5V：75mΩ
　　栅源阈值电压（Vgs(th)）：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容（Ciss）：200pF @ Vds=10V
　　总栅极电荷（Qg）：3.2nC @ Vds=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：3ns
　　关断延迟时间（td(off)）：5ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：XSON-6L (1.0x1.0)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　通道数：单通道

特性

UMG4NTR采用先进的沟槽栅极技术制造，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少功率损耗并提升整体效率。其在低至1.8V的栅极驱动电压下即可实现完全导通，使其非常适用于使用低压逻辑信号控制的应用场景，例如由3.3V或更低电压微控制器直接驱动的系统。这种低门槛驱动能力不仅简化了外围电路设计，还避免了额外电平转换器的需求，有助于缩小PCB面积和降低成本。
　　该器件具备出色的热稳定性，在高负载条件下仍能维持稳定的电气性能。得益于XSON-6L封装的底部散热焊盘设计，热量可以高效地传导至PCB上的接地层，有效降低热阻，提高长期运行的可靠性。同时，小型化封装并未牺牲电气性能，反而通过优化内部引线结构减少了寄生电感和电阻，提升了高频响应能力和抗电磁干扰（EMI）特性。
　　UMG4NTR还具有良好的雪崩耐受能力和静电放电（ESD）防护性能，增强了在瞬态过压或突发电流情况下的鲁棒性。其快速开关特性（典型开启时间仅3ns）使其适用于高频开关电源和脉宽调制（PWM）控制应用，能够有效减少开关损耗，提升电源转换效率。此外，低栅极电荷（Qg = 3.2nC）意味着驱动电路所需提供的能量更少，进一步降低了驱动IC的负担和整体系统功耗。
　　器件的制造过程遵循严格的质量管理体系，并通过AEC-Q101等车规级可靠性测试的部分验证，表明其具备一定的工业级甚至车载应用潜力，尽管主要定位仍是消费电子领域。综合来看，UMG4NTR是一款集高性能、小尺寸与节能特性于一体的先进MOSFET器件，适用于下一代紧凑型智能设备的设计需求。

应用

UMG4NTR广泛用于便携式消费类电子产品中，特别是在空间受限但对效率和响应速度有较高要求的场合。常见应用包括智能手机和平板电脑中的电源开关、背光LED驱动电路、摄像头模块电源控制以及USB接口的过流保护与热插拔管理。由于其支持低电压驱动，常被用于与MCU或PMIC直接连接，执行负载开关功能，实现系统的分区域上电控制以节省能耗。
　　在物联网（IoT）设备中，如无线传感器节点、智能家居终端和可穿戴健康监测设备，UMG4NTR可用于电池供电系统的电源路径管理，延长待机时间并提高能效。此外，它也适用于小型DC-DC降压变换器中的同步整流开关，替代传统二极管以降低压降和发热，提升转换效率。
　　其他应用场景还包括微型电机驱动（如振动马达控制）、音频线路选择开关、TWS耳机充电盒内的充电管理电路，以及各类需要高速开关响应的小信号切换任务。由于其良好的高频特性，也可用于射频前端模块中的偏置电源控制或天线调谐开关电路。总体而言，UMG4NTR特别适合那些追求极致小型化、高集成度和高能效的现代电子系统设计。